Компания Toshiba Electronics Europe представила новые диоды Шоттки (SBD) на основе карбида кремния (SiC) второго поколения полупроводниковых технологий.Эти диоды Шоттки обеспечивают плотность тока до 50% выше, чем устройства первого поколения, и могут работать с более высокими пиковыми прямыми токами.
Использование полупроводников на основе карбида кремния (SiC) помогает разработчикам повысить эффективность, снизить тепловыделение и сэкономить место в высокоскоростных силовых коммутационных схемах. Силовые устройства на основе SiC также обеспечивают стабильную работу в более широком диапазоне температур, чем кремниевые аналоги, даже при высоких напряжениях и токах.
Благодаря технологии SiC второго поколения, компания Toshiba смогла уменьшить толщину кристалла и разработать диоды Шоттки с плотностью тока в 1,5 раза (1,5x) выше, чем у устройств первого поколения. Кроме того, диоды Шоттки на основе SiC второго поколения будут обладать превосходными показателями начального неповторяющегося пикового прямого тока (IFSM).
Первыми продуктами второго поколения линейки станут устройства на 650 В с номинальным током 4 А (TRS4E65F), 6 А (TRS6E65F), 8 А (TRS8E65F) и 10 А (TRS10E65F) в корпусах TO-220 с двумя выводами и изолированных корпусах TO-220 с двумя выводами, обозначаемые как TRS..A65F. Эти диоды идеально подойдут для высокоскоростных преобразователей мощности, включая схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), фотоэлектрические инверторы и системы бесперебойного питания (ИБП). SiC SBD-диоды Toshiba также могут использоваться для повышения эффективности переключения источников питания путем замены обычных кремниевых диодов.
