Стоимость центров обработки данных и без того в значительной степени определялась потреблением электроэнергии, поэтому этот рост потребления лишь подчеркнул важность энергоэффективности в этих объектах. В книге « Powering AI: High-Density Power Distribution in Modern Data Centers»ведущие эксперты в области ИИ обсуждают такие темы, как переход к источникам питания более высокого напряжения и роль цифровых технологий питания в повышении энергоэффективности. Видеоролики демонстрируют, как жидкостное охлаждение позволяет увеличить плотность размещения серверов и как использование нитрида галлия (GaN) и более эффективных полевых транзисторов на основе металл-оксид-полупроводника (MOSFET) в силовых схемах помогает уменьшить вес и размеры систем электропитания. Электронная книга также включает интерактивную инфографику, объясняющую поток энергии в стандартном центре обработки данных. Компания Renesas имеет долгую историю в области управления энергопотреблением и предлагает своим клиентам широкий спектр продуктов и решений; многие из них представлены в книге. Вот некоторые из продуктов Renesas, которые можно приобрести через Mouser:

Силовые MOSFET-транзисторы REXFET-1 от Renesas отличаются бесконтактной, сверхкомпактной конструкцией, которая улучшает тепловые характеристики, управляемость и надежность. Благодаря технологическому процессу производства пластин REXFET-1, удалось снизить сопротивление проводимости в открытом состоянии до 30% и заряд затвора (Qg) до 10%, что привело к повышению эффективности.

Модуль ISL99390FRZ Smart Power Stage (SPS) обеспечивает высочайшую на рынке точность измерения тока, нагрузки и температуры в сети. В сочетании с цифровым ШИМ-контроллером Renesas он позволяет осуществлять высокоточное управление питанием системы и обеспечивает наилучшую переходную характеристику для регуляторов, работающих от сети. Эти устройства упрощают проектирование, устраняя необходимость в типичных схемах измерения постоянного тока (DCR) и связанных с ними компонентах термокомпенсации.

12-фазный ШИМ-контроллер ISL68239 использует запатентованную компанией Renesas схему цифровой синтетической модуляции тока для достижения лучшего в отрасли сочетания переходной характеристики, возможности настройки и эффективности для всех нагрузок. Разработчики могут легко настраивать и контролировать устройство с помощью интуитивно понятного программного обеспечения Renesas PowerNavigator™.

Полевой транзистор TP65H015G5WS SuperGaN® сочетает в себе передовой высоковольтный GaN HEMT и низковольтный кремниевый MOSFET, обеспечивая превосходную надежность и производительность. В устройстве используются передовые технологии эпитаксии (epi) и запатентованные конструкции, упрощающие процесс производства и повышающие эффективность по сравнению с кремнием за счет снижения заряда затвора, выходной емкости, потерь при переключении и заряда обратного восстановления.

Откройте книгу