Преимущества технологии GaN открывают широкие возможности в различных секторах, от промышленного и автомобильного применения до бытовой электроники и возобновляемой энергетики. Новая электронная книга содержит экспертные мнения компаний ADI, Bourns и других о преимуществах GaN, проблемах, с которыми могут столкнуться разработчики, впервые использующие технологию GaN, и о том, как лучше всего подойти к переходу от кремния к GaN. В электронной книге также освещаются соответствующие продукты от ADI и Bourns, такие как драйверы GaN, силовые индукторы и многое другое.
Синхронные понижающие драйверы LTC7890/1 от ADI представляют собой высокопроизводительные понижающие DC-DC импульсные регуляторы, управляющие силовыми каскадами на синхронных полевых транзисторах (FET) с N-канальным GaN напряжением до 100 В. Эти устройства упрощают проектирование, устраняя необходимость в защитных диодах или других дополнительных внешних компонентах, в отличие от решений на основе кремния и металл-оксид-полупроводника.
LT8418 — это 100-вольтовый полумостовой драйвер GaN, который объединяет верхний и нижний каскады драйвера, управление логикой драйвера и защиту. Микросхема LT8418 обеспечивает драйверы с раздельным затвором для регулировки скорости включения и выключения GaN-полевых транзисторов с целью подавления резонанса и оптимизации электромагнитных помех.
Высокие частоты переключения в GaN-технологии требуют тщательного выбора пассивных компонентов. Компания Bourns предлагает передовые магнитные компоненты, оптимизированные для более высоких частот GaN, такие как планарные силовые индукторы PQ, чип-индукторы CWP3230A и индукторы TLVR1105T. Эти устройства отличаются низкой индуктивностью, высокими номинальными токами и экранированной конструкцией для снижения излучения.
Трансформатор Bourns HCTSM150102HL имеет усиленную изоляцию, минимальное расстояние изоляции/ползучести 15 мм и максимальное номинальное напряжение 7,64 кВ (2 с), что обеспечивает высокую степень защиты от высоковольтных опасностей. Трансформатор имеет тороидальный ферритовый сердечник для достижения высокого коэффициента связи и высокой эффективности.
- Подробности
- Категория: Семинары
Проблемы и преимущества технологии нитрида галлия (GaN) с точки зрения эффективности, производительности и экологичности
Компания Mouser Electronics, Inc. объявляет о выпуске новой электронной книги в сотрудничестве с Analog Devices, Inc. (ADI) и Bourns, в которой анализируются проблемы и преимущества технологии нитрида галлия (GaN) с точки зрения эффективности, производительности и экологичности.
Десять экспертов обсуждают технологию нитрида галлия, исследуя, как GaN, обеспечивающий более высокую эффективность, более высокую скорость переключения и более высокую плотность мощности, чем кремний, совершает революцию в силовой электронике.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.
