Серия EcoGaN™ от ROHM Semiconductor предлагает разработчикам широкий ассортимент GaN-компонентов для удовлетворения всех их потребностей: будь то дискретные GaN HEMT (150 В или 650 В), оптимизированные драйверы затвора, другие контроллеры или интегрированные силовые каскады.
Технология EcoGaN™ от ROHM позволяет эффективно уменьшить объем компонентов до 90% и потери мощности до 55% по сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами. Благодаря значительно большей коммутационной способности GaN-устройств требуется меньше пассивных компонентов. Серия разработана для простоты использования: GaN-устройства в режиме обогащения (нормально выключенные) обеспечивают лучшее в своем классе напряжение затвор-исток (класс 150 В) в корпусе с высоким теплоотводом и низкой паразитной индуктивностью. Благодаря самому высокому в отрасли коэффициенту качества (FOM), встроенной защите от электростатического разряда (класс 650 В) и минимизированной индуктивности рассеяния, компоненты EcoGaN™ обеспечивают миниатюризацию системы и снижение энергопотребления.
На выставке PCIM 2024 (11-13 июня в Нюрнберге, Германия) компания ROHM будет представлена на стенде 304 в зале 9, демонстрируя не только серию EcoGaN™. ROHM также представит другие ключевые продукты, включая SiC MOSFET-транзисторы 4-го поколения, драйверы затвора и интеллектуальные низковольтные силовые устройства. Силовые продукты ROHM разработаны для удовлетворения меняющихся потребностей различных отраслей промышленности и вносят вклад в более устойчивое будущее
