Проект разрабатывается в сотрудничестве с несколькими исследовательскими центрами и субподрядными технологическими компаниями. Правительство Испании финансирует 68% от 3,3 млн евро, выделенных на НИОКР, который является частью конкурса PERTE Chip Missions, проводимого Центром развития технологий и инноваций (CDTI). Проект DioSiC входит в инициативу по укреплению НИОКР в области передового микроэлектронного проектирования и альтернативных архитектур.
Исследования в рамках проекта позволят создать новый материал, на 100% разработанный по испанским технологиям, еще не имеющий коммерческой доступности в мире, обладающий уникальными характеристиками для использования в мощной электронике.
В частности, будут разработаны поликристаллические подложки из карбида кремния (SiC), которые будут подвергнуты высокому изостатическому давлению (ГИП) — порядка 2000 бар и 2000 °C — для получения надежных, бездефектных SiC-чипов. Эти новые полупроводниковые чипы позволят снизить себестоимость производства мощных компонентов на 30% и повысить их эффективность на 35%, что сделает их производство экономически целесообразным.
Области применения включают промышленность (производство электромобилей), энергетику (в частности, возобновляемые источники энергии), а также ИТ и телекоммуникационный секторы. «Перед нами стоит серьезная научно-техническая задача, которая позволит нам впервые в мире разработать более эффективные и экономичные мощные электронные компоненты», — объясняет Андрес Эрнандо, генеральный директор Hiperbaric.
Основная цель этого проекта — преодоление существующих ограничений использования карбида кремния путем производства поликристаллических кремниевых подложек с использованием искрового плазменного спекания (SPS) с последующей обработкой высоким изостатическим давлением (HIP). Это позволит Испании производить эти инновационные чипы в разумные сроки и с минимальными затратами, удовлетворяя потребности растущего рынка и избегая технологической зависимости от других стран. Обработка карбида кремния (SiC) методом HIP значительно улучшает его свойства, устраняя любые потенциальные дефекты в поликристаллических кремниевых пластинах.
По словам Рамона Торресильяса, генерального директора Nanoker, «мы являемся одной из немногих европейских компаний, владеющих технологией SPS для производства базового материала микросхем. Мы сотрудничали с Hiperbaric, чтобы предложить этот новый материал, для которого требуется технология HIP, чтобы достичь необходимого качества для следующего поколения высокопроизводительных микросхем от Fagor Electrónica».
В электронике и полупроводниках чипы на основе SiC уже предлагают ряд преимуществ перед чипами на основе кремния, таких как более высокая эффективность, более быстрая работа и возможность работы в условиях высоких температур и высокой мощности. Благодаря высококачественным поликристаллическим подложкам SiC, созданным испанским консорциумом, производство этих устройств может быть значительно более экономичным и эффективным.
В Испании компания Hiperbaric из Бургоса является единственной национальной компанией, производящей оборудование для горячего изостатического прессования (ГИП). На международном рынке она конкурирует всего с тремя другими компаниями: одной шведской, одной бельгийской и одной американской. Эта революционная технология улучшает механические свойства, упругость и пластичность высокопроизводительных компонентов, обеспечивая значительные преимущества за счет устранения пористости и повышения коррозионной стойкости. Кроме того, ГИП устраняет пористость и другие внутренние дефекты, придает большую однородность высокопроизводительным материалам и позволяет восстанавливать дефектные детали.
О DioSiC:
DioSiC — это консорциум, образованный тремя компаниями (Nanoker, Hiperbaric и Fagor Electrónica) и поддерживаемый тремя центрами CSIC (Национальный центр микроэлектроники (CNM), Центр физики материалов (CFM) и Центр наноматериалов и нанотехнологий (CINN)) и технологическим центром (CEIT). В его состав также входит немецкий Институт Фраунгофера с двумя исследовательскими центрами (Институт интегрированных систем и технологий устройств — IISB; и Центр кремниевой фотовольтаики — CSP).
О компании HIPERBARIC:
Компания Hiperbaric, расположенная в Бургосе, с 1999 года занимается проектированием, производством и маркетингом промышленного оборудования и технологий высокого давления. На протяжении двух десятилетий она является поставщиком оборудования для обработки под высоким давлением (HPP), применяемого в пищевой промышленности. В 2019 году, в результате научно-исследовательского проекта, компания открыла новое направление бизнеса, ориентированное на проектирование и разработку промышленного оборудования для горячего изостатического прессования (HIP), используемого для производства критически важных промышленных компонентов в аэрокосмической, энергетической, нефтегазовой, автомобильной и медицинской отраслях. В 2021 году компания запустила еще одно инновационное направление бизнеса: технологию сжатия водорода (H2) под очень высоким давлением, работающую на возобновляемых источниках энергии, чтобы внести свой вклад в решение проблемы устойчивой мобильности и декарбонизации промышленности. Компания известна своей надежностью, поддержкой клиентов, командной работой и постоянными научно-исследовательскими разработками.
