Шестое поколение 3D Flash-памяти выделяется своей передовой архитектурой, превосходящей традиционную 8-уровневую ступенчатую структуру памяти и обеспечивающей до 10% большую плотность в латеральных ячейках по сравнению с технологией пятого поколения. Это улучшение в латеральном масштабировании, наряду со 162 слоями вертикальной памяти, приводит к уменьшению размера массива на 40% по сравнению со 112-слойной технологией, что оптимизирует затраты.
Команды KIOXIA и Western Digital также внедрили локализацию CMOS-транзисторов под кристаллом и четырехплоскостную обработку; эти решения в совокупности привели к улучшению производительности программирования почти в 2,4 раза и снижению задержки чтения на 10% по сравнению с предыдущим поколением. Производительность ввода-вывода также улучшена на 66%, что позволяет этому интерфейсу следующего поколения удовлетворять растущий спрос на более высокие скорости передачи данных.
В целом, новая технология 3D Flash-памяти снижает стоимость бита и увеличивает количество битов, производимых на одной пластине, на 70% по сравнению с предыдущим поколением. KIOXIA и Western Digital продолжают внедрять инновации, чтобы обеспечить непрерывное масштабирование, отвечающее потребностям клиентов и их разнообразным задачам.
