АНДРЕА БРИККОНИ | КОММЕРЧЕСКИЙ ДИРЕКТОР, CGD
«Это соглашение является важным шагом для CGD в процессе расширения нашего бизнеса и создания экосистемы GaN, которая поможет инженерам изучать и использовать преимущества ICeGaN для высоковольтного преобразования энергии. DigiKey — это уважаемый и заслуживающий доверия бренд, и мы уверены, что это соглашение позволит CGD выйти на новые рынки по всему миру и поддержать их».
Мисси Холл | ВИЦЕ-ПРЕЗИДЕНТ ПО РАЗВИТИЮ НОВЫХ РЫНКОВ, DIGIKEY:
«Мы рады включить Cambridge GaN Devices (CGD) в нашу программу Fulfilled by DigiKey. Включение транзисторов серии ICeGaN от CGD в наш портфель позволяет DigiKey предлагать нашим клиентам еще больше энергоэффективных вариантов. DigiKey всегда стремится заполнить пробелы в своей клиентской базе, и добавление CGD в наше сообщество поставщиков – это еще один заполненный пробел и еще один шаг к большим инновациям».
Компания CGD недавно выпустила семейство HEMT на основе нитрида галлия серии H2 с напряжением 650 В. Эти новые компоненты упрощают проектирование, поскольку ими можно управлять с помощью имеющихся в продаже драйверов затвора. С точки зрения эффективности, HEMT на основе ICeGaN обеспечивают квантовый выход (QG) в 10 раз ниже, чем у кремниевых компонентов, и квантовый выходной сигнал (QOSS) в 5 раз ниже. Это значительно снижает потери при переключении, обеспечивая лучшие в отрасли показатели эффективности, что приводит к уменьшению размеров, веса и стоимости системы. HEMT на основе ICeGaN серии H2 также решают проблемы надежности и отказоустойчивости благодаря использованию интеллектуального интерфейса затвора CGD, который практически исключает типичные недостатки GaN в электронном режиме. Устройства обладают повышенной устойчивостью к перенапряжениям, более высоким порогом помехоустойчивости, подавлением dV/dt и защитой от электростатического разряда (ESD).
