Стоимость сделки по приобретению Transphorm оценивается примерно в 339 миллионов долларов. Приобретение предоставит Renesas собственную технологию GaN, ключевой материал следующего поколения для силовых полупроводников, расширив её присутствие на быстрорастущих рынках, таких как электромобили, вычислительная техника (центры обработки данных, ИИ, инфраструктура), возобновляемая энергия, промышленное преобразование энергии и быстрые зарядные устройства/адаптеры.

Растёт спрос на высокоэффективные энергетические системы, являющиеся фундаментальным элементом углеродной нейтральности. Для решения этой проблемы в отрасли также идёт переход к широкополосным материалам (WBG), примером которых является карбид кремния (SiC). Эти передовые материалы позволяют использовать более широкий диапазон напряжений и частот переключения, чем традиционные кремниевые устройства. Чтобы воспользоваться этим импульсом, Renesas объявила о создании собственной производственной линии SiC, подкреплённой 10-летним соглашением о поставке кремниевых пластин.

Компания Renesas стремится расширить свой портфель широкозонных полупроводников (WBG) за счет опыта Transphorm в области нитрида галлия (GaN) — перспективного материала, обеспечивающего более высокие частоты переключения, меньшие потери мощности и меньшие габариты. Эти преимущества повышают эффективность систем заказчиков, обеспечивая меньшие размеры и вес, а также снижение общей стоимости. В результате, согласно отраслевому исследованию, прогнозируется ежегодный рост спроса на GaN более чем на 50%. Renesas будет использовать разработанную Transphorm технологию GaN для создания новых усовершенствованных решений в области электропитания, таких как комплексные силовые установки для электромобилей, а также для применения в вычислительной технике, энергетике, промышленности и потребительских товарах.