После начала серийного производства своих 150-вольтовых GaN HEMT-транзисторов с напряжением пробоя затвора 8 В в 2022 году, в марте 2023 года компания ROHM разработала технологию управляющих интегральных схем для максимизации производительности GaN. Теперь ROHM разработала лидирующие на рынке 650-вольтовые GaN HEMT-транзисторы, способствующие повышению эффективности и уменьшению габаритов в более широком диапазоне силовых систем.
Микросхемы GNP1070TC-Z и GNP1150TCA-Z демонстрируют лучшие в отрасли показатели по коэффициенту RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, ключевому фактору качества для GaN HEMT, что приводит к повышению эффективности в системах питания. Одновременно с этим, встроенный элемент защиты от электростатического разряда повышает сопротивление электростатическому пробою до 3,5 кВ, тем самым повышая надежность применения. Высокоскоростные характеристики переключения GaN HEMT также способствуют дальнейшей миниатюризации периферийных компонентов.
Компания ROHM продолжает улучшать характеристики своих устройств благодаря линейке GaN-устройств EcoGaN™, что способствует большей экономии энергии в различных приложениях и дальнейшей миниатюризации. При разработке продукции ROHM мы также содействуем совместной разработке посредством стратегического партнерства, чтобы помочь решить социальные проблемы, делая приложения более эффективными и компактными.
EcoGaN™
— это новая линейка GaN-устройств от ROHM, которая способствует энергосбережению и миниатюризации за счет максимального использования характеристик GaN с целью снижения энергопотребления в приложениях, уменьшения размеров периферийных компонентов и упрощения конструкций, требующих меньшего количества деталей.
Ассортимент продукции
Примеры применения:
Идеально подходит для широкого спектра систем электропитания в промышленном оборудовании и бытовой технике, включая серверы и адаптеры переменного тока.
Компания Ancora Semiconductors Inc.
является дочерней компанией Delta Electronics, глобального поставщика решений в области управления тепловыми и энергетическими процессами. Компания Ancora была основана в июле 2022 года и специализируется на разработке устройств и технологий на основе нитрида галлия (GaN).
Более подробная информация об Ancora
Терминология
GaN HEMT
GaN (нитрид галлия) — это полупроводниковый материал, используемый в силовых устройствах следующего поколения. Его применение растет благодаря превосходным свойствам по сравнению с кремнием, что подтверждается отличными высокочастотными характеристиками.
HEMT расшифровывается как транзистор с высокой подвижностью электронов.
RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
— это показатель, используемый для оценки характеристик переключения, где Ciss обозначает общую емкость на входе, а Coss — на выходе.
Чем ниже это значение, тем выше скорость переключения и ниже потери при переключении.
Электростатический разряд (ЭСР)
— это перенапряжение, возникающее при контакте заряженных объектов, таких как человеческое тело и электронное оборудование. Этот тип перенапряжения может привести к нарушению работы или повреждению цепей и оборудования.
