Увлекательное сотрудничество между ROHM и Venturi Formula E подчеркивает ключ к успеху в этой полностью электрической гоночной серии: управление мощностью. Задача в Formula E заключается в поиске наиболее эффективного способа использования энергии, вырабатываемой батареей и используемой на дороге. Для достижения этой цели ROHM разработала новую технологию силовых устройств на основе карбида кремния. Этот материал способен выдерживать гораздо более интенсивные электрические поля, чем обычный кремний, что приводит к чрезвычайно низким потерям мощности и большей термостойкости. ROHM и Venturi надеются, что это даст им конкурентное преимущество и будет способствовать разработке новых технических решений для повышения эффективности преобразования энергии.

Инвертор Rohm внутри автомобиляТехнология SiC вкратце: более компактная, надежная и быстрая силовая электроника.
Карбид кремния — это соединение кремния и углерода, получаемое в процессе выращивания кристаллов, включающем сублимацию и воздействие высоких температур около 2000 °C. Компания ROHM, лидер в применении SiC в силовых устройствах, добилась снижения энергопотребления и повышения эффективности работы. Она предлагает ряд преимуществ по сравнению с традиционным кремнием:
МЕНЬШИЙ РАЗМЕР — миниатюризация системы позволяет уменьшить размер и вес, улучшить распределение веса в автоспорте и, как следствие, снизить общее энергопотребление.
БОЛЕЕ НАДЕЖНЫЙ — устройства на основе SiC могут работать при более высоких напряжениях и токах, увеличивая плотность мощности и снижая потери при переключении даже при высоких температурах.
БОЛЕЕ БЫСТРЫЙ — новейший результат сотрудничества ROHM и Venturi. Превосходные характеристики и максимальный потенциал скорости.

В инверторе третьего сезона используются диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC), что делает его на 2 кг легче, чем инвертор второго сезона. Электрический КПД увеличился на 1,7%, а объем компонентов системы отвода тепла уменьшился на 30%. Но это только начало. Дальнейшие существенные изменения в интегрированном инверторе на основе SiC MOSFET будут внесены в четвертом сезоне.

Соглашение о спонсорстве и технологиях демонстрирует приверженность дальнейшему развитию.
Компания ROHM является ведущим разработчиком передовых продуктов на основе SiC, и в частности силовых устройств на основе SiC. Она стала первой в мире компанией, начавшей производство SiC MOSFET в 2010 году. В автомобильном секторе растет число электромобилей и инверторов, использующих SiC, и ROHM уже достигла исключительной доли рынка в сегменте бортовых зарядных устройств для быстрой зарядки.
ROHM также является лидером в секторе систем LSI благодаря широкому ассортименту сертифицированных по стандарту AEC-Q продуктов ASIC и ASSP, таких как драйверы светодиодов, драйверы двигателей и драйверы затворов, оптимизированные для блоков управления двигателем (ЭБУ), а также стандартные дискретные компоненты, такие как транзисторы, диоды и интегральные схемы в целом.
Компания ROHM Semiconductor впервые стала глобальным спонсором бренда. Это соглашение является важным шагом для этого ведущего мирового производителя полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония, и демонстрирует его приверженность дальнейшему развитию систем управления питанием и энергией. Внедрение технологии SiC в Формулу E и электромобильность в целом является значительным шагом в изменении технологий управления. Кроме того, ROHM принимает активное участие в революционизации энергетической политики. После того, как работа с технологией Вентури продемонстрирует эффективность этой новой технологии, силовые устройства на основе SiC перейдут в массовое производство, что принесет пользу промышленности и обществу в целом.

С целью распространения информации о соглашении Formula E и его популяризации, компания ROHM создала специальный веб-сайт, ориентированный на клиентов, сотрудников, поклонников автоспорта и лиц, принимающих решения в электронной промышленности. На этом сайте представлены последние новости Formula E, а также справочная информация о соглашении и технологии SiC в целом.

Более подробная информация