Технология SiC вкратце: более компактная, надежная и быстрая силовая электроника.
Карбид кремния — это соединение кремния и углерода, получаемое в процессе выращивания кристаллов, включающем сублимацию и воздействие высоких температур около 2000 °C. Компания ROHM, лидер в применении SiC в силовых устройствах, добилась снижения энергопотребления и повышения эффективности работы. Она предлагает ряд преимуществ по сравнению с традиционным кремнием:
МЕНЬШИЙ РАЗМЕР — миниатюризация системы позволяет уменьшить размер и вес, улучшить распределение веса в автоспорте и, как следствие, снизить общее энергопотребление.
БОЛЕЕ НАДЕЖНЫЙ — устройства на основе SiC могут работать при более высоких напряжениях и токах, увеличивая плотность мощности и снижая потери при переключении даже при высоких температурах.
БОЛЕЕ БЫСТРЫЙ — новейший результат сотрудничества ROHM и Venturi. Превосходные характеристики и максимальный потенциал скорости.
В инверторе третьего сезона используются диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC), что делает его на 2 кг легче, чем инвертор второго сезона. Электрический КПД увеличился на 1,7%, а объем компонентов системы отвода тепла уменьшился на 30%. Но это только начало. Дальнейшие существенные изменения в интегрированном инверторе на основе SiC MOSFET будут внесены в четвертом сезоне.
Соглашение о спонсорстве и технологиях демонстрирует приверженность дальнейшему развитию.
Компания ROHM является ведущим разработчиком передовых продуктов на основе SiC, и в частности силовых устройств на основе SiC. Она стала первой в мире компанией, начавшей производство SiC MOSFET в 2010 году. В автомобильном секторе растет число электромобилей и инверторов, использующих SiC, и ROHM уже достигла исключительной доли рынка в сегменте бортовых зарядных устройств для быстрой зарядки.
ROHM также является лидером в секторе систем LSI благодаря широкому ассортименту сертифицированных по стандарту AEC-Q продуктов ASIC и ASSP, таких как драйверы светодиодов, драйверы двигателей и драйверы затворов, оптимизированные для блоков управления двигателем (ЭБУ), а также стандартные дискретные компоненты, такие как транзисторы, диоды и интегральные схемы в целом.
Компания ROHM Semiconductor впервые стала глобальным спонсором бренда. Это соглашение является важным шагом для этого ведущего мирового производителя полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония, и демонстрирует его приверженность дальнейшему развитию систем управления питанием и энергией. Внедрение технологии SiC в Формулу E и электромобильность в целом является значительным шагом в изменении технологий управления. Кроме того, ROHM принимает активное участие в революционизации энергетической политики. После того, как работа с технологией Вентури продемонстрирует эффективность этой новой технологии, силовые устройства на основе SiC перейдут в массовое производство, что принесет пользу промышленности и обществу в целом.
С целью распространения информации о соглашении Formula E и его популяризации, компания ROHM создала специальный веб-сайт, ориентированный на клиентов, сотрудников, поклонников автоспорта и лиц, принимающих решения в электронной промышленности. На этом сайте представлены последние новости Formula E, а также справочная информация о соглашении и технологии SiC в целом.
Компания ROHM Semiconductor продемонстрировала свою передовую технологию на основе карбида кремния (SiC) на первой гонке сезона Формулы E 2016/2017 в Гонконге. С началом третьего сезона японский производитель полупроводников стал спонсором и официальным поставщиком команды Venturi Formula E.
