Портфель силовых устройств ROHM охватывает как кремниевые, так и широкополосные технологии, включая карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), что обеспечивает стратегическое направление для разработчиков центров обработки данных. Кремниевые MOSFET-транзисторы компании уже широко используются в автомобильной и промышленной отраслях, предлагая экономичное и надежное решение для современных потребностей в преобразовании энергии. Они идеально подходят для применений, где необходимо сбалансировать цену, эффективность и надежность, что делает их хорошо подходящими для переходных этапов развития инфраструктуры искусственного интеллекта.
Ярким примером является RY7P250BM, силовой MOSFET на 100 В, поддерживаемый ведущими мировыми поставщиками облачных услуг и специально разработанный для схем с возможностью «горячей» замены в системах питания 48 В — критически важного компонента в серверах ИИ. Ключевые особенности включают в себя лучшие в своем классе показатели SOA (безопасная рабочая зона) и сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии (1,86 мОм) в компактном корпусе 8080. Эти характеристики помогают снизить потери мощности и повысить надежность системы, что является важнейшим требованием для облачных платформ высокой плотности и высокой доступности. По мере перехода центров обработки данных с 12 В на 48 В и выше, возможность «горячей» замены становится критически важной для поддержания бесперебойной работы и защиты от пусковых токов.
Промышленное выпрямление с минимальными потерями — это область, в которой устройства ROHM на основе SiC демонстрируют превосходные результаты и соответствуют планам NVIDIA по масштабному развертыванию своей архитектуры центров обработки данных HVDC 800 В для питания ИТ-стоек мощностью 1 МВт и более. В основе новой инфраструктуры NVIDIA лежит преобразование переменного тока 13,8 кВ из сети непосредственно в постоянный ток 800 В. Эта инициатива призвана устранить неэффективность традиционных систем питания стоек 54 В, которые ограничены физическим пространством, медными проводниками и потерями при преобразовании.
SiC MOSFET-транзисторы от ROHM обеспечивают превосходную производительность в условиях высокого напряжения и высокой мощности, что приводит к повышению эффективности за счет снижения потерь при переключении и проводимости, улучшению термической стабильности для компактных систем высокой плотности и доказанной надежности в критически важных приложениях. Эти характеристики идеально соответствуют требованиям архитектуры NVIDIA 800V HVDC, которая направлена на сокращение использования меди, минимизацию потерь мощности и упрощение преобразования энергии в центрах обработки данных.
В дополнение к SiC, компания ROHM развивает технологии нитрида галлия под брендом EcoGaN™. В то время как SiC лучше подходит для высоковольтных и сильноточных применений, GaN обеспечивает исключительную производительность в диапазоне от 100 В до 650 В, обладая превосходной прочностью на пробой, низким сопротивлением в открытом состоянии и сверхбыстрым переключением. Обширный портфель EcoGaN™ от ROHM включает в себя GaN HEMT на 150 В и 650 В, драйверы затвора и интегральные схемы силовых каскадов. Одновременно запатентованная технология Nano Pulse Control™ дополнительно повышает производительность переключения за счет уменьшения длительности импульсов до 2 нс. Эти инновации отвечают растущему спросу на более компактные и эффективные системы питания в центрах обработки данных для искусственного интеллекта.
Помимо дискретных устройств, ROHM предлагает ряд мощных SiC-модулей, включая литые корпуса с превосходным охлаждением, такие как HSDIP20, оснащенные передовыми SiC-чипами четвертого поколения. Эти SiC-модули на 1200 В оптимизированы для топологий LLC в преобразователях переменного тока в постоянный и для применения на первичной стороне в преобразователях постоянного тока в постоянный. Разработанные для высокоэффективного преобразования энергии с высокой плотностью, они особенно хорошо подходят для централизованных систем питания, предусмотренных в архитектуре NVIDIA. Их надежные тепловые характеристики и масштабируемость делают их идеальными для шин 800 В и стоечных конфигураций масштаба МВт.
Переход к инфраструктуре HVDC 800 В — это результат совместных усилий. Компания ROHM стремится к тесному сотрудничеству с лидерами отрасли, такими как NVIDIA, а также с операторами центров обработки данных и разработчиками систем электропитания, чтобы предоставить фундаментальные кремниевые технологии, необходимые для этого следующего поколения «фабрик искусственного интеллекта». Наш опыт в области силовых полупроводников, особенно широкополосных материалов, таких как SiC и GaN, позиционирует нас как ключевого партнера в разработке решений, которые не только обладают высокой производительностью, но и способствуют более устойчивому и энергоэффективному цифровому будущему.
