Сдержанный

Подробности

Категория: Конфиденциально

10 ноября 2015 г

Компания Rutronik предлагает новый сверхмалый чип памяти SPI FRAM объемом 1 Мбит от Fujitsu. Это идеальное решение для критически важных миниатюрных приложений на рынках датчиков и носимых устройств.

Подробности

Категория: Конфиденциально

2 ноября 2015 г

Компания Toshiba Electronics Europe представила новую линейку 24-нм SLC NAND флэш-памяти для встраиваемых систем, совместимой с широко распространенным интерфейсом Serial Peripheral (SPI).

Подробности

Категория: Конфиденциально

2 октября 2015 г

В последней версии JEDEC 5.1 определен ряд новых и улучшенных функций, которые будут полезны разработчикам смартфонов и других интеллектуальных устройств.

Подробности

Категория: Конфиденциально

5 августа 2015 г

Корпорации Intel и Micron Technology, Inc. представили технологию 3D XPoint™ — энергонезависимую память, способную произвести революцию в любом устройстве, приложении или сервисе, нуждающемся в быстром доступе к большим массивам данных.

Подробности

Категория: Конфиденциально

15 июня 2015 г

Компания Maxim Integrated Products, Inc. упрощает калибровку расходных медицинских датчиков, а также мониторинг и контроль негигиеничного повторного использования одноразовых медицинских изделий с помощью энергонезависимой памяти 1-Wire® DS28E80, устойчивой к гамма-излучению.

Подробности

Категория: Конфиденциально

18 мая 2015 г

Компания Crucial выпускает новые модули памяти Ballistix Sport и Ballistix Tactical DDR4, специально разработанные для оптимизации игровой производительности. Эти новые игровые модули сочетают в себе элегантный дизайн, высокую производительность памяти DDR4 и надежность, необходимую геймерам для доминирования в соревнованиях.

Подробности

Категория: Конфиденциально

31 марта 2015 г

Корпорация Toshiba объявила о разработке первой 48-слойной флэш-памяти[1] с трехмерной структурой ячеек[2] под названием BiCS, устройства на 128 гигабит с 2 битами на ячейку (16 гигабайт).

Подробности

Категория: Конфиденциально

23 февраля 2015 г

Компания e2v Inc. объявила о доступности версий EP (Enhanced Products) микросхемы EV25Q128-EP, флэш-памяти NOR с высокоскоростным последовательным интерфейсом, совместимым с SPI.

Подробности

Категория: Конфиденциально

26 сентября 2014 г

Компания Alliance Memory сегодня представила новую линейку высокоскоростных мобильных микросхем CMOS DDR DRAM (DDR SDRAM), разработанных для повышения эффективности и увеличения времени автономной работы в компактных портативных устройствах. Благодаря низкому энергопотреблению (от 1,7 В до 1,95 В) и ряду энергосберегающих функций, устройства объемом 256 МБ, 512 МБ, 1 ГБ и 2 ГБ доступны в корпусах FPBGA размером 8 мм x 9 мм с 60 контактами и 8 мм x 13 мм с 90 контактами.

Подробности

Категория: Конфиденциально

13 мая 2014 г

Компания Samsung Electronics Co., Ltd. объявила о начале серийного производства первых твердотельных накопителей PM853T с 3-битной флэш-памятью NAND, обеспечивающих лидирующие на рынке показатели производительности. Эти новые SSD-накопители позволят центрам обработки данных лучше управлять рабочими нагрузками, связанными с социальными сетями, веб-браузингом и электронной почтой, тем самым повышая эффективность работы.

Подробности

Категория: Конфиденциально

6 мая 2014 г

Компания Microchip анонсировала новое устройство флэш-памяти с параллельным доступом: SST38VF6401B. SST38VF6401B — это устройство CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) с разрешением 4M x16, изготовленное с использованием высокопроизводительной технологии SuperFlash® CMOS от Microchip

Подробности

Категория: Конфиденциально

25 апреля 2014 г

Миниатюризация электронных схем требует не только малых компонентов, но и работы без помех. С помощью семейства продуктов WE-TMSB компания Würth Elektronik eiSos предлагает самые маленькие ферритовые чипы в стандартном формате 0201.