Другие полупроводники
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Navitas Semiconductor анонсировала новое семейство сверхвысоковольтных силовых модулей из карбида кремния (SiC), предназначенных для преобразования энергии в электросетях, системах хранения энергии и центрах обработки данных, использующих искусственный интеллект.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Allegro MicroSystems объявила о расширении своего каталога компонентов для робототехники за счет решений по управлению питанием на 48 В и высокоточных датчиков положения, предназначенных для улучшения управления движением в человекоподобных роботах и других системах физического искусственного интеллекта (Physical AI).
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания StarPower Semiconductor представила силовой модуль MD53HFL120L2S_B20 на основе МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC), предназначенный для высоковольтных применений в промышленном и автомобильном секторах. Устройство рассчитано на напряжение 1200 В и ток 120 А и имеет полумостовую топологию, состоящую из двух последовательно соединенных N-канальных МОП-транзисторов из SiC.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Toshiba Electronics Europe расширила свой портфель силовых полупроводниковых устройств, выпустив модуль IX800FXF2YMS4, состоящий из двух МОП-транзисторов на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для промышленного оборудования преобразования и управления энергией. Новое устройство включает в себя МОП-транзисторы SiC третьего поколения от Toshiba и имеет номинальное напряжение сток-исток (VDSS) 3300 В и номинальный постоянный ток стока (ID) 800 А.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Renesas Electronics представила TP65H020G4PLSBD, GaN-устройство на 650 В, разработанное для систем преобразования энергии высокой плотности, используемых в архитектурах HVDC на 800 В для центров обработки данных, работающих с искусственным интеллектом.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания ROHM разработала полевой транзистор RS4P063BPHZG на 100 В, оптимизированный для автомобильных систем безопасности и защитных цепей. Новый продукт обеспечивает лучшую в отрасли* широкую область безопасной работы (SOA) в широком диапазоне напряжений в стандартном корпусе HPLF5060 (размер 5060), широко используемом в автомобильной промышленности.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания ROHM разработала IGBT-транзисторы 4-го поколения на 650 В, идеально подходящие для электрических компрессоров и высоковольтных нагревателей в автомобильной промышленности, а также для инверторов в промышленном оборудовании. Как продукция автомобильного класса 650 В,
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания ROHM разработала новую линейку суперконнектных MOSFET-транзисторов на 600 В — серии R60xxXNx и R60xxWNx. В секторах центров обработки данных и промышленного оборудования спрос на электроэнергию продолжает расти по мере увеличения вычислительных нагрузок, что обуславливает высокий спрос на более эффективные источники питания для снижения как энергопотребления, так и тепловыделения.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») представила TPM1R408RH, силовой N-канальный MOSFET-транзистор на 80 В, созданный на основе новейшей технологической схемы U-MOS11-H. Разработанный для высокоэффективных промышленных импульсных источников питания для оборудования центров обработки данных и базовых станций связи,
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Системы синхронизации для космических аппаратов должны обеспечивать высокостабильные и точные сигналы для навигационных, коммуникационных и научных приборов, даже когда сигналы GNSS слабые или недоступны.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания NOVOSENSE Microelectronics объявила о выпуске серии SP301H/L — семейства трехканальных цифровых изоляторов, основанных на запатентованной технологии емкостной изоляции третьего поколения.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
Компания Navitas Semiconductor объявила о выпуске нового корпуса UHV-TO-247-4-ISO, устанавливающего новый стандарт для высокопроизводительных дискретных силовых устройств. Благодаря расстоянию утечки более 12 мм между выводами и встроенной изоляции, превышающей 6000 В,
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.