Компания Wolfspeed представила свою технологию пятого поколения, представляющую собой существенный шаг вперед в повышении эффективности для промышленного и автомобильного применения следующего поколения с напряжением 1200 В и 750 В.
Использование карбида кремния (SiC) в качестве основного материала для силовых MOSFET-транзисторов в инверторах для электромобилей стало одним из наиболее устоявшихся трендов в силовой электронике за последнее десятилетие. Преимущества SiC перед обычным кремнием хорошо известны: более низкие потери проводимости и переключения, более высокая рабочая температура и более высокая рабочая частота.
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») объявляет о выпуске трех новых 40-вольтовых N-канальных силовых MOSFET-транзисторов: XPMR5904PB, уже доступных для покупки, и XPMR7404PB и XPMR8504PB, которые поступят в продажу в ближайшее время. Эти устройства используют новый корпус SOP Advance (EWF) и предназначены для требовательных автомобильных приложений
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») представляет SSM6L826R — новый 30-вольтовый двухканальный MOSFET-транзистор, объединяющий N-канальные и P-канальные MOSFET-транзисторы в одном корпусе. Этот продукт идеально подходит для таких применений, как управление однофазными бесщеточными двигателями постоянного тока (BLDC)
Компания ROHM объявила о том, что её 750-вольтовый SiC MOSFET интегрирован в блок резервного питания (BBU) для серверов, использующих искусственный интеллект. С развитием генеративного ИИ системы питания серверов переходят на более высокие напряжения и быстро адаптируются к архитектурам HVDC
Компания Microchip Technology объявляет о доступности своих новых силовых модулей 3,3 кВ HV-D3 mSiC®, разработанных для упрощения и ускорения внедрения твердотельных трансформаторов (ТТ) в гипермасштабных центрах обработки данных для ИИ и других высоковольтных силовых приложениях.
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») представляет два 80-вольтовых N-канальных MOSFET-транзистора, соответствующих стандарту AEC-Q101, расширяя свой ассортимент для поддержки 48-вольтовых автомобильных систем. Модели XPH2R608QB и XPH3R908QB являются первыми продуктами следующего поколения, созданными по техпроцессу U-MOSX-H, в корпусе SOP Advance (WF) с возможностью смачивания боковой поверхности.
Компания Wolfspeed, Inc. объявила о выпуске первого коммерчески доступного силового МОП-транзистора на основе карбида кремния (SiC) с напряжением 10 кВ. МОП-транзистор на основе SiC с напряжением 10 кВ устанавливает новый стандарт долговечности и производительности: анализ зависимости времени пробоя диэлектрика от времени (TDDB) предсказывает 158 000 лет работы при непрерывном напряжении смещения затвора 20 В.
Компания ROHM разработала новейшее устройство в своей серии EcoSiC™: SiC MOSFET-транзисторы 5-го поколения, оптимизированные для высокоэффективных силовых приложений. Эта технология идеально подходит для систем электропривода в автомобильной промышленности, таких как тяговые инверторы для электромобилей, а также для источников питания серверов искусственного интеллекта и промышленного оборудования, например, центров обработки данных.
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») представляет TPHR6704RL, силовой N-канальный MOSFET-транзистор на 40 В, изготовленный с использованием передового технологического процесса U-MOS11-H. Устройство оптимизировано для импульсных источников питания, используемых в центрах обработки данных, а также для промышленного оборудования, такого как высокоэффективные DC-DC преобразователи, импульсные стабилизаторы напряжения и контроллеры двигателей.
Серия Altera Agilex 5 теперь доступна в Mouser Electronics. SoC и FPGA Altera Agilex 5 обеспечивают повышенную эффективность в обработке данных на периферии сети, цифровой обработке сигналов (DSP) и искусственном интеллекте (AI) благодаря двум ядрам CortexA76 и CortexA55 и технологии Intel 7.
Компания StarPower расширяет свой портфель, представляя модули полумостовых и трехфазных мостовых схем нового поколения для систем электропривода. Новые решения основаны на новейшем поколении микросхем компании и обеспечивают значительно более высокую удельную мощность, улучшенные тепловые характеристики и оптимизированное соотношение цены и качества.
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила два новых 40-вольтовых автомобильных N-канальных силовых MOSFET-транзистора, которые окажут существенное влияние на разработку автомобилей следующего поколения. Модели XPQR3004PB и XPQ1R004PB используют инновационный формат корпуса транзистора большого размера...
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила 12-вольтовый N-канальный MOSFET с общим стоком и номинальным током 20 А, предназначенный для использования в схемах защиты батарей литий-ионных (Li-ion) аккумуляторных блоков, таких как те, что обычно используются в мобильных телефонах...
Процессоры Intel Core 6-го поколения, созданные на основе новой микроархитектуры Skylake, разработанной с использованием 14-нм технологического процесса Intel, обеспечивают до двух с половинойраз более высокую производительность.
Компания Renesas Electronics Corporation объявила о разработке технологии встраиваемых процессоров, обеспечивающей более высокую скорость и меньшее энергопотребление в микропроцессорных блоках (МПУ), реализующих передовые технологии искусственного интеллекта в области компьютерного зрения. Разработанные технологии включают в себя следующее:
Компания Kionix, входящая в группу ROHM, анонсировала KXTJ3 — новый трехосевой акселерометр, предлагающий беспрецедентное соотношение цены и качества и обеспечивающий производительность, сравнимую с гораздо более дорогими акселерометрами, в миниатюрном формате 2 мм x 2 мм x 0,9 мм.
Компания Kionix Inc., входящая в группу ROHM, недавно анонсировала первые в отрасли полностью функциональные, сверхтонкие, трехосевые акселерометры KX112 (2x2x0,6 мм) и KXCJB (3x3x0,45 мм).
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.