Другие полупроводники

Подробности

Категория: Другие полупроводники

16 мая 2023 г

Стандартный USB (универсальная последовательная шина) или USB-соединение является отраслевым стандартом, отвечающим за передачу данных между двумя устройствами. Растущая интеграция электронных компонентов в автомобильную, промышленную и бытовую технику привела к необходимости в USB-кабелях, способных передавать данные на большие расстояния. С целью предоставления рынку надежных решений USB для передачи данных на большие расстояния,

Подробности

Категория: Другие полупроводники

16 мая 2023 г

В магазине Mouser появилось в наличии устройство Microchip Technology ATECC608B CryptoAuthentication™. ATECC608B может работать с предварительно загруженными криптографическими ключами, безопасно храня их во встроенных и IoT-устройствах, или в качестве криптографического сопроцессора, выполняющего защищенные криптографические алгоритмы без перегрузки ресурсов основного микропроцессора или микроконтроллера.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

9 мая 2023 г

Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») представила серию цифровых изоляторов DCL54xx01, обеспечивающих стабильность высокоскоростной цифровой связи даже в самых сложных промышленных условиях. Изоляторы обеспечивают защиту от мощных импульсов напряжения, характерных для промышленных рабочих зон и способных генерировать синфазные переходные процессы в инфраструктуре линий передачи данных.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

9 мая 2023 г

Компания Power Integrations представила семейство драйверов затвора SCALE-iFlex™ LT NTC для модулей IGBT/SiC. Новые драйверы затвора разработаны для новых и популярных двухканальных модулей IGBT размером 100 мм x 140 мм, таких как Mitsubishi LV100 и Infineon XHP 2, а также для вариантов из карбида кремния (SiC) с блокирующим напряжением до 2300 В.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

9 мая 2023 г

Компания Power Integrations анонсировала новый одноканальный драйвер затвора с возможностью подключения по принципу Plug-and-Play для модулей IGBT и IHV размером 190 мм x 140 мм с напряжением до 3300 В. Модель 1SP0635V2A0D сочетает в себе проверенные SCALE-2™ с настраиваемым изолированным последовательным выходным интерфейсом, что повышает программируемость драйвера и обеспечивает исчерпывающие телеметрические отчеты для точной оценки срока службы.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

13 апреля 2023 г

Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила новый силовой N-канальный MOSFET на 150 В, созданный на основе технологического процесса U-MOS XH Trench следующего поколения. Новое устройство (TPH9R00CQ5) специально разработано для использования в высокопроизводительных импульсных источниках питания, таких как базовые станции связи, а также в других промышленных приложениях.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

23 марта 2023 г

Компания Renesas Electronics Corporation представила новый промышленный микропроцессор (MPU), совместимый с протоколом связи EtherCAT, обеспечивающий точное, высокоскоростное управление промышленными системами в режиме реального времени. Микропроцессор RZ/T2L унаследовал аппаратную архитектуру своего более высокопроизводительного аналога, RZ/T2M, и предлагает оптимизированные решения для быстрорастущего рынка связи EtherCAT.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

21 марта 2023 г

Широкомасштабная электрификация стимулирует рост рынка полупроводников на основе карбида кремния (SiC), поскольку такие крупные сегменты рынка, как электромобильность, устойчивое развитие и промышленность, обращаются к силовым решениям на основе SiC благодаря их высокой скорости переключения, меньшим потерям мощности и высокой производительности при высоких температурах.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

17 марта 2023 г

Компания EPS Global, глобальная организация, предоставляющая услуги по программированию интегральных схем и безопасному шифрованию, объявила о запуске сервиса безопасного программирования, соответствующего требованиям международного законодательства о мерах кибербезопасности для устройств, подключенных к Интернету.

Подробности

Категория: Другие полупроводники

6 марта 2023 г

Компания StarPower Semiconductor Ltd., партнер Media MicroComputer и бренд, представленный в группе Steliau Technology-EUROPE, предлагает широкий ассортимент 62-мм SiC-модулей, являющихся разумной альтернативой IGBT-решениям, выпускаемым уже несколько лет.
StarPower предлагает линейку полумостовых SiC-модулей в стандартном 62-мм корпусе, прошедших всесторонние испытания в рыночных проектах и ​​продуктах.
Наиболее значимые модели представлены в следующих стандартных версиях:

Компания StarPower разработала эти модели с полумостовой топологией, использующей SiC MOSFET-транзисторы, которые задействуют внутренний диод в корпусе MOSFET-транзистора для обратной проводимости.

Для обеспечения максимальной надежности как для образцов, так и для серийного производства, все 62-мм модули из карбида кремния подвергаются процессу спекания. Кроме того, по запросу может быть достигнуто изоляционное напряжение до 6,5 кВ.

Компания Media MicroComputer понимает, что требования к приложениям часто бывают разнообразными. Для некоторых могут потребоваться низкие потери проводимости и низкое сопротивление Rth, для других — низкие потери при переключении, или оптимизированное соотношение цены и качества для приложений, чувствительных к цене. Чтобы наши клиенты могли в полной мере использовать потенциал SiC для своих нужд, StarPower предлагает полную гибкость в рамках существующих разработок без дополнительных затрат на оснастку. Это позволяет нам проектировать модули с меньшим внутренним диаметром (ID) и большим сопротивлением Rdson для снижения стоимости, или же модули с улучшенными потерями при переключении и большим сопротивлением Rdson.
Это лишь небольшой пример возможностей StarPower. С 2005 года мы разрабатываем и производим модули IGBT и модули на заказ для применения в инверторах, сварочном оборудовании, индукционном нагреве, ИБП, электромобилях, солнечной/ветровой энергетике и других областях, требующих выходной мощности от 10 кВт до 1 МВт и более.

Для содействия в настройке модулей под потребности клиента инженеры из Media MicroComputer и StarPower Europe AG, швейцарской компании Cadenazzo, предлагают свои знания и опыт для достижения наилучших результатов.

Более подробная информация

Подробности

Категория: Другие полупроводники

6 февраля 2023 г

Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила два новых 40-вольтовых автомобильных N-канальных силовых MOSFET-транзистора, которые окажут реальное влияние на разработку автомобилей следующего поколения. Модели XPQR3004PB и XPQ1R004PB используют инновационный формат корпуса транзистора типа «крыло чайки» (L-TOGL^™).

Подробности

Категория: Другие полупроводники

2 февраля 2023 г

Компания Farnell объявляет о доступности своих новых продуктов на основе карбида кремния (SiC) EliteSiC, оптимизированных для решений onsemi в области энергетической инфраструктуры. Эти новые устройства отвечают требованиям производительности следующего поколения благодаря сниженным потерям при переключении в реальных условиях по сравнению с конкурентами.