Благодаря корпусам L-TOGL и, как следствие, улучшенным характеристикам теплоотвода, новые MOSFET-транзисторы Toshiba оптимизированы для работы с большими токами. Каждый из них обладает высокими номинальными значениями тока стока (400 А для XPQR3004PB и 200 А для XPQ1R004PB), а также лучшими в отрасли значениями сопротивления включения (0,3 мОм для XPQR3004PB и 1 мОм для XPQ1R004PB).

Эти устройства не имеют внутренней полюсной структуры (паянное соединение). Это достигается за счет соединения истока и внешних выводов с помощью инновационного медного зажима. Использование многополюсной структуры для выводов истока снижает сопротивление корпуса (и связанные с этим потери) примерно на 70% по сравнению с существующим корпусом TO-220SM(W). Номинальный ток стока (ID) XPQR3004PB на 60% выше, чем у существующего TKR74F04PB в корпусе TO-220SM(W). Кроме того, прочная медная рама существенно снижает тепловое сопротивление между переходом и корпусом. Оно составляет 0,2 °C/Вт для XPQR3004PB и 0,65 °C/Вт для XPQ1R004PB. Это облегчает рассеивание тепла, снижает рабочие температуры и повышает надежность. Разработанные для

использования в сложных автомобильных условиях при температурах до 175 °C, модели XPQR3004PB и XPQ1R004PB сертифицированы по стандарту AEC-Q101. Их выводы типа «крыло чайки» снижают напряжение при сборке и облегчают визуальный осмотр, что способствует повышению надежности паяных соединений.

При использовании в сильноточных автомобильных приложениях, таких как полупроводниковые реле или интегрированные стартер-генераторы (ISG), микросхемы XPQR3004PB и XPQ1R004PB упрощают проектирование и уменьшают количество необходимых MOSFET-транзисторов. Это приводит к уменьшению размеров, веса и стоимости.

Более подробная информация или запрос цены