Полевые транзисторы GaN с режимом обогащения от Nexperia на 650 В обеспечивают значения RDS(on) от 80 до 190 мОм в различных корпусах DFN размером 5x6 мм и 8x8 мм, повышая эффективность преобразования энергии в высоковольтных и низковольтных (<650 В) телекоммуникационных/передатчиковых системах, системах зарядки бытовой техники, солнечной энергетике и промышленных приложениях. Они также могут использоваться для проектирования бесщеточных двигателей постоянного тока и прецизионных приводов микросерверов с более высоким крутящим моментом и мощностью. Nexperia также предлагает полевой транзистор GaN на 100 В (3,2 мОм) в корпусе WLCSP8 и устройство на 150 В (7 мОм) в корпусе FCLGA. Эти устройства подходят для широкого спектра низковольтных (<150 В) и мощных приложений, обеспечивая, например, более эффективные преобразователи постоянного тока в центрах обработки данных, более быструю зарядку (для электромобилей и USB Type-C™), более компактные приемопередатчики LiDAR, малошумящие аудиоусилители класса D и устройства с более высокой удельной мощностью для потребительских товаров, таких как мобильные телефоны, ноутбуки и игровые приставки.

Более подробная информация