Компания Microchip Technology представляет свой симулятор питания на основе SiC MPLAB®, который позволяет быстро оценивать силовые устройства и модули Microchip на основе SiC в различных топологиях, прежде чем переходить от проектирования к разработке аппаратной части. Это помогает инженерам-разработчикам силовых решений легко, быстро и уверенно внедрять решения на основе SiC.
Программная среда MPLAB SiC Power Simulator от Microchip, разработанная в сотрудничестве с Plexim, представляет собой бесплатный онлайн-инструмент, исключающий необходимость приобретения лицензии на моделирование. MPLAB SiC Power Simulator ускоряет процесс проектирования различных силовых топологий на основе SiC. Клиенты могут уверенно сравнивать и оценивать решения на основе SiC на этапе проектирования.
«Теперь клиенты, заинтересованные в технологии SiC, могут использовать веб-симулятор питания на основе SiC от MPLAB для сравнения и выбора наилучшего продукта Microchip на основе SiC для своих разработок», — сказал Клейтон Пиллион, вице-президент подразделения карбида кремния Microchip. «Microchip, которая инвестирует в карбид кремния более двух десятилетий, предоставляет нашим клиентам универсальные решения для питания в своем портфеле SiC, которые легко интегрируются с другими устройствами Microchip».
Этот инструмент позволяет ускорить вывод продукции на рынок благодаря всесторонней оценке SiC, которая не только предоставляет ценные данные, но и сокращает время выбора компонентов. Разработчик силовой электроники, которому необходимо выбрать между SiC MOSFET с сопротивлением 25 мОм и 40 мОм для трехфазного активного преобразователя, может немедленно получить результаты моделирования, такие как средняя рассеиваемая мощность и пиковые температуры перехода устройств.
MPLAB SiC Power Simulator — это первоклассный инструмент проектирования для OEM-производителей, разрабатывающих системы электропитания для электромобильности, устойчивого развития и промышленного применения, таких как электромобили, бортовые и внешние системы зарядки, источники питания и системы хранения энергии на основе батарей.
В портфолио SiC компании Microchip входят лучшие на рынке силовые модули с наименьшей паразитной индуктивностью (<2,9 нГн), а также самые передовые дискретные MOSFET-транзисторы и диоды на 3,3 кВ с самыми высокими номинальными токами. Портфолио SiC также включает в себя дискретные устройства без корпусов, модули на 700 В, 1200 В и 1700 В, а также конфигурируемые драйверы затвора AgileSwitch®.
Эти устройства на основе SiC отличаются прочностью и высокими эксплуатационными характеристиками, обеспечивая срок службы затвора, превышающий 100 лет, а также структурные диоды без деградации. Технология SiC обеспечивает более высокий уровень эффективности системы, удельной мощности и температурной стабильности, чем кремниевые IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) в мощных приложениях.
