В последние годы стремительный рост генеративного искусственного интеллекта и обработки больших данных ускорил внедрение высокопроизводительных серверов в секторе промышленного оборудования. В результате этого увеличивается плотность мощности, что оказывает всё большее давление на электроэнергетическую инфраструктуру, вплоть до опасений по поводу локальных перебоев в электроснабжении. Хотя интеллектуальные сети, объединяющие возобновляемые источники энергии (например, солнечную энергию) с традиционными электросетями, становятся потенциальным решением, минимизация потерь при преобразовании и хранении энергии остаётся ключевой проблемой.
В автомобильной отрасли последнее поколение электромобилей требует большего запаса хода и более быстрой зарядки, что порождает спрос на инверторы с меньшими потерями и более производительные бортовые зарядные устройства (OBC). В ответ на это растет внедрение SiC-устройств, способных обеспечить как низкие потери, так и высокую эффективность, в мощных приложениях, охватывающих диапазон от нескольких киловатт до сотен киловатт.
Компания ROHM, являясь ведущим мировым производителем полупроводников, первой в мире начала массовое производство SiC MOSFET в 2010 году, внедрив SiC-устройства в широкий спектр мощных приложений, что способствовало снижению потерь мощности. Это включало в себя создание первоначальной линейки продукции, соответствующей автомобильным стандартам надежности, таким как AEC-Q101. Кроме того, SiC MOSFET 4-го поколения, поставки образцов которых начались в июне 2020 года, получили широкое распространение в промышленных и автомобильных приложениях по всему миру. Они доступны в широком ассортименте продукции, включающем как дискретные устройства, так и модули, что способствует быстрому внедрению SiC-технологии на рынке.
Разработанные недавно SiC MOSFET-транзисторы 5-го поколения обеспечивают лучшие в отрасли сверхнизкие потери, что способствует все более широкому внедрению технологии SiC. Благодаря структурным улучшениям и оптимизированным производственным процессам сопротивление в открытом состоянии снижается примерно на 30% при работе при высоких температурах (Tj=175°C) по сравнению с традиционными изделиями 4-го поколения (при тех же условиях напряжения пробоя и размера кристалла). Это улучшение способствует уменьшению размеров устройств при одновременном увеличении выходной мощности в высокотемпературных приложениях, таких как инверторы тяговых электромобилей.
Компания ROHM начала поддержку бизнеса по производству микросхем на базе SiC MOSFET 5-го поколения в 2025 году и завершила разработку в марте 2026 года. Кроме того, начиная с июля 2026 года, ROHM будет поставлять образцы дискретных устройств и модулей, включающих SiC MOSFET 5-го поколения.
В будущем компания ROHM планирует расширить линейку SiC MOSFET пятого поколения, добавив новые варианты напряжения пробоя и корпусов. ROHM также продолжит совершенствовать свои инструменты проектирования и укреплять поддержку приложений. Продолжая продвигать технологию SiC, которая сейчас вступает в фазу широкого распространения, ROHM вносит свой вклад в более эффективное использование энергии в самых разных мощных приложениях.
Примеры применения
: Автомобильные системы: тяговые инверторы для электромобилей, бортовые зарядные устройства (OBC), преобразователи постоянного тока, электрические компрессоры.
Промышленное оборудование: источники питания для серверов ИИ и центров обработки данных, фотоэлектрические инверторы, системы хранения энергии (ESS), системы бесперебойного питания (UPS), электрические летательные аппараты вертикального взлета и посадки (eVTOL) и сервоприводы переменного тока.
EcoSiC
™ — это бренд устройств на основе карбида кремния (SiC), который привлекает внимание в области силовых устройств, демонстрируя характеристики, превосходящие характеристики кремния (Si). Компания ROHM самостоятельно разрабатывает основные технологии, необходимые для совершенствования устройств на основе SiC, полностью собственными силами, от изготовления пластин и разработки технологических процессов до герметизации и контроля качества. Одновременно мы внедрили полностью интегрированную производственную систему, охватывающую весь производственный процесс, что укрепляет наши позиции в качестве ведущего поставщика SiC.
*EcoSiC™ является товарным знаком или зарегистрированным товарным знаком компании ROHM Co., Ltd.
