За счет значительного уменьшения шага ячеек по сравнению с предыдущим поколением, компания Magnachip добилась существенного увеличения токовой емкости. Кроме того, улучшенная область безопасной работы при обратном смещении (RBSOA) обеспечивает стабильную и надежную работу в сложных условиях высокого напряжения и высокого тока. Продукция доступна в стандартном корпусе TO-247 и высокомощном корпусе TO-247 Plus, что обеспечивает большую гибкость проектирования для широкого спектра применений.
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировой рынок солнечных инверторов и систем хранения энергии (ESS) вырастет с примерно 1,4 млрд долларов в 2024 году до 2,7 млрд долларов в 2029 году, что соответствует среднегодовому темпу роста (CAGR) в 10,6%. В связи с ускорением глобальных инициатив по достижению углеродной нейтральности, энергоэффективность и высокая удельная мощность стали ключевыми показателями при проектировании инверторов.
Компания Magnachip уже поставляет продукцию на базе IGBT ведущим национальным и международным производителям солнечных инверторов и известна высоким качеством своей продукции и передовыми технологиями. Благодаря этому новому продукту компания расширяет свой ассортимент, охватывая широкий диапазон мощностей — от бытовых инверторов до промышленных систем мощностью до 150 кВт, — что позволяет клиентам выбирать наиболее подходящие продукты для своих условий эксплуатации.
Новое поколение IGBT-транзисторов использует технологию Advanced Field Stop Trench, а также улучшенную конструкцию и оптимизированные производственные процессы по сравнению с предыдущим поколением. В частности, шаг ячеек уменьшен примерно на 40%, что значительно увеличивает пропускную способность по току в пределах той же площади кристалла. Кроме того, показатель RBSOA, определяющий безопасные пределы работы полупроводника, улучшен более чем на 30%, что обеспечивает высокую стабильность в условиях высокого напряжения и высокого тока. Это делает устройства пригодными для более широкого спектра силовых применений.
Компания Magnachip планирует в первой половине 2026 года расширить свой ассортимент продукции, представив серию сильноточных транзисторов до 650 В и 150 А, а также новые продукты на 750 В. Кроме того, компания планирует внедрить корпус TO-247-4Lead, который включает вывод Кельвина для повышения эффективности переключения, что еще больше укрепит позиции Magnachip на рынке IGBT-транзисторов. Это позволит Magnachip предложить более широкий спектр вариантов проектирования для рынков солнечной энергетики и систем хранения энергии, которые развиваются в направлении увеличения емкости и эффективности.
«Благодаря оптимизированным технологическим процессам, это новое поколение IGBT-транзисторов повышает эффективность и надежность», — сказал Хюк Ву, технический директор Magnachip. «Опираясь на наши проверенные на рынке технологии и производственные возможности, мы продолжим расширять наш портфель решений, чтобы лучше удовлетворять разнообразные потребности наших клиентов».
