Новые модули объединяют в стандартном 62-мм корпусе полевые транзисторы mSiC® на основе карбида кремния (SiC) с напряжением 3,3 кВ и диоды Шоттки для эффективной и прямой передачи питания от сети среднего напряжения к серверной стойке.
Центры обработки данных для ИИ продолжают быстро расширяться, но генерация токенов ограничена доступными источниками питания; в то же время эффективность является основным фактором окупаемости инвестиций. Традиционные архитектуры, основанные на громоздких низкочастотных трансформаторах, усложняют систему, увеличивают потери и ограничивают гибкость.Твердотельные трансформаторы представляют собой значительное изменение в области электропитания, поскольку они сокращают количество преобразовательных ступеней и позволяют повысить эффективность системы. Внедрение высоковольтного постоянного тока, монтируемого в стойку, в центрах обработки данных для ИИ следующего поколения еще больше повышает ценность твердотельных трансформаторов (ТТ), которые были разработаны для подачи регулируемого постоянного тока непосредственно из сети среднего напряжения с меньшим количеством преобразовательных ступеней.
Модули HV-D3 mSiC от Microchip специально разработаны для удовлетворения этих требований. В этих модулях используется технология mSiC MOSFET от Microchip, которая обеспечивает превосходную стабильность RDS(on) в зависимости от температуры. Корпус обеспечивает изоляцию 6 кВ, включает материалы с рейтингом CTI 600 и увеличенные расстояния утечки, что позволяет безопасно подключать высоковольтные цепи последовательно. Подложка из нитрида кремния (Si₃N₄) улучшает теплопроводность и возможности циклической работы, помогая инженерам повысить плотность мощности при менее интенсивном охлаждении.
«В центрах обработки данных, работающих с ИИ, постоянно растут требования к передаче электроэнергии между электросетью и графическим процессором, что делает твердотельные трансформаторы все более важными», — сказал Клейтон Пиллион, вице-президент подразделения решений для высокой мощности компании Microchip. «Наши силовые модули HV-D3 mSiC с напряжением 3,3 кВ позволяют разработчикам сократить количество устройств, соединенных последовательно, примерно вдвое по сравнению с другими низковольтными SiC-устройствами при подключении к сетям 13,8 кВ или 34,5 кВ. Эти устройства также заполняют критически важный пробел на промышленном рынке продукции на 100–300 А за счет интеграции дискретных SiC-устройств и гораздо более крупных силовых модулей».
Силовые модули HV-D3 mSiC доступны в конфигурациях с полумостовым и общим истоком, с антипараллельными диодами Шоттки и без них, для применений в диапазоне 100-300 А. Технология mSiC MOSFET от Microchip обеспечивает сбалансированные потери при переключении как для жесткого, так и для мягкого переключения, что делает эти устройства хорошо подходящими для конструкций SST и других высокочастотных высоковольтных систем.
Модули питания HV-D3 mSiC, оптимизированные для твердотельных трансформаторов в центрах обработки данных для ИИ, также находят применение в широком спектре областей, включая инфраструктуру зарядки мегаватт для тяжелой техники, вспомогательные источники питания для железнодорожного и тяжелого транспорта, средневольтные приводы двигателей, а также промышленные и оборонные системы электропитания. Эти рынки выигрывают от одинакового сочетания высокой изоляции, тепловой стойкости и эффективного преобразования энергии.
Инструменты разработки:
Модули питания 3,3 кВ поддерживаются примечанием к применению, руководством по проектированию, а также моделями устройств и моделирования для быстрого прототипирования. Microchip также предоставляет глобальную техническую поддержку, услуги по проектированию и инженерную поддержку на месте.
