Однако такие проблемы, как сходимость моделирования и длительное время вычислений, выявили необходимость их улучшения.
В новых моделях L3 используется упрощенный подход, который сохраняет как вычислительную стабильность, так и точность сигналов переключения, при этом сокращая время моделирования примерно на 50% по сравнению с моделями L1. Это позволяет проводить высокоточный переходный анализ целых цепей со значительно большей скоростью, ускоряя оценку параметров устройств и анализ потерь на этапе проектирования.
Начиная с апреля 2025 года, компания ROHM выпустила 37 моделей L3 для своих SiC MOSFET-транзисторов 4-го поколения, которые теперь можно загрузить непосредственно из раздела «Модели и инструменты» на странице каждого продукта. Модели L1 будут по-прежнему предлагаться наряду с новыми версиями. Также предоставляется подробный технический документ для упрощения внедрения моделей.
