Благодаря применению технологического процесса U-MOS11-H, транзистор TPHR6704RL обеспечивает типичное сопротивление RDS(ON) 0,52 мОм при прямом напряжении (VGS) 10 В и максимальное сопротивление RDS(ON) 0,67 мОм при прямом напряжении (VGS) 10 В. По сравнению с существующим 40-вольтовым изделием (TPHR8504PL), изготовленным с использованием технологического процесса U-MOS IX-H, сопротивление RDS(ON) примерно на 21% ниже. Кроме того, улучшены характеристики переключения нового устройства: типичный общий заряд затвора (Qg) составляет 88 нКл, а заряд переключения затвора (QSW) — 24 нКл, что приводит к снижению показателя качества RDS(ON) × Qg примерно на 37%, обеспечивая работу с низкими потерями.

Микросхема TPHR6704RL поможет разработчикам снизить электромагнитные помехи (ЭМП) в импульсных источниках питания за счет минимизации скачков напряжения, возникающих между стоком и истоком во время переключения.

TPHR6704RL также демонстрирует высокие тепловые и токовые характеристики: номинальный ток стока (ID) составляет до 420 А, а тепловое сопротивление канала и корпуса — 0,71 °C/Вт при 25 °C, что обеспечивает стабильную работу при высоких нагрузках. Устройство работает в широком диапазоне температур, с максимальной температурой канала (Tch) 175 °C, что гарантирует надежную работу в сложных промышленных условиях.

Размещенная в корпусе SOP Advance (N), микросхема обеспечивает высокую совместимость с существующими конструкциями SOP Advance, упрощая замену и модернизацию на уровне печатной платы.

Для эффективного проектирования источников питания Toshiba предлагает полный набор инструментов для проектирования схем. В дополнение к модели SPICE G0 для быстрой функциональной проверки, доступны высокоточные модели SPICE G2, позволяющие точно воспроизводить переходные и коммутационные характеристики, что помогает разработчикам оптимизировать эффективность, электромагнитные помехи (ЭМП) и тепловые характеристики.

Узнайте больше.