Благодаря технологическому процессу U-MOSX-H от Toshiba, эти продукты обеспечивают низкое сопротивление в активном состоянии (RDS(ON)), что позволяет разработчикам максимально повысить эффективность своих 48-вольтовых систем, тем самым улучшая производительность и продлевая срок службы автомобильных батарей. Сопротивление RDS(ON) XPH2R608QB составляет 2,55 мОм (макс.) при полной нагрузке затвора (Qg) 95 нКл (тип.), а для XPH3R908QB — 3,9 мОм (макс.) и 63 нКл (тип.); оба значения достигаются при напряжении затвор-исток (VGS) 10 В (макс.).
Кроме того, корпус SOP WF с медным разъемом снижает сопротивление корпуса MOSFET, повышая эффективность, улучшая теплоотвод и увеличивая надежность системы. Конструкция корпуса с смачиваемыми краями улучшает видимость паяных соединений, облегчая проверку состояния сборки платы с помощью автоматизированного оптического контроля (АОИ), что повышает общую надежность системы.
Модели XPH2R608QB и XPH3R908QB подходят для использования в схемах управления бесщеточными двигателями постоянного тока (BLDC) с N-канальным возбуждением и неизолированных понижающих преобразователях постоянного тока. Помимо автомобильных систем на 28 В, другие области применения включают приводы двигателей, импульсные источники питания и переключатели нагрузки. Серия U-MOSX-H на 80 В для автомобильных применений также включает XPQR8308QB, выполненный в корпусе L-TOGL с высоким теплоотводом. Toshiba продолжит разработку автомобильных MOSFET-транзисторов, подходящих для систем на 48 В, чтобы удовлетворить разнообразные потребности клиентов и поддержать различные автомобильные приложения.
