для управления коллекторными двигателями постоянного тока и коммутации нагрузки в сетях электропитания в бытовом и промышленном контрольно-измерительном оборудовании.

Для N-канального MOSFET используется технологический процесс UMOSVIIH компании Toshiba, а для P-канального MOSFET — технологический процесс UMOSVI. Она выпускается в компактном корпусе TSOP6F (2,9 мм × 2,8 мм × 0,8 мм) с плоскими выводами для повышения эффективности сборки.

Устройство обеспечивает низкие значения сопротивления в открытом состоянии (RDS(ON)) — 46 мОм (макс.) (VGS = 10 В) для N-канального MOSFET и 45 мОм (макс.) (VGS = -10 В) для P-канального MOSFET. Поскольку значения RDS(ON) практически идентичны, потери проводимости хорошо сбалансированы, что упрощает разработку схем для разработчиков. Кроме того, интеграция обоих типов MOSFET в один корпус уменьшает занимаемое печатной платой пространство, количество компонентов и стоимость спецификации материалов (BOM).

С выпуском SSM6L826R компания Toshiba расширяет свою линейку двойных MOSFET-транзисторов TSOP6F, включая три двойных N-канальных MOSFET-транзистора, один двойной P-канальный MOSFET-транзистор и два комплементарных (N+P) MOSFET-транзистора, предоставляя инженерам большую гибкость в выборе оптимального устройства для своих разработок.

Более подробная информация