Это первое в отрасли устройство, решающее проблему биполярной деградации в 10-кВ SiC MOSFET-транзисторах, обеспечивающее надежную работу, в том числе благодаря использованию встроенного диода, что крайне важно для систем бесперебойного питания среднего напряжения, ветроэнергетики и твердотельных трансформаторов.
Свобода проектирования: упрощенные системы, более низкая стоимость владения
Наличие технологии SiC с напряжением 10 кВ обеспечивает ранее недоступную гибкость проектирования, что приводит к экспоненциальному улучшению размеров, веса, надежности и стоимости эксплуатации системы.
Снижение стоимости системы примерно на 30%: использование SiC 10 кВ позволяет упростить архитектуру системы, сократить количество ячеек в многоячеечных конструкциях и уменьшить топологию трехуровневых инверторов до двухуровневой
Повышение удельной мощности более чем на 300%: увеличение частоты переключения с 600 Гц до 10 000 Гц упрощает схемы управления затвором и возбуждения, одновременно уменьшая количество магнитных компонентов
Снижение тепловых нагрузок на уровне системы до 50%: достижение КПД преобразования 99% обеспечивает более простое и эффективное управление тепловыми процессами по сравнению с системами на основе IGBT-транзисторов
Использование потенциала импульсной энергии: создание приложений нового поколения
Благодаря более быстрому времени нарастания импульса (менее 10 наносекунд), новая технология позволяет заменить традиционные механические искровые выключатели, которые со временем изнашиваются из-за высокотоковых и чрезвычайно высокотемпературных электрических дуг, что приводит к увеличению затрат на техническое обслуживание и общей стоимости владения, на твердотельные выключатели на основе SiC MOSFET. Эти твердотельные устройства устраняют электрические дуги, обеспечивают эффективную передачу энергии и повышают точность синхронизации импульсной передачи энергии, одновременно уменьшая размеры и сложность системы для высокопроизводительных импульсных энергетических приложений, таких как геотермальная энергетика, генерация электроэнергии для центров обработки данных с использованием ИИ, плазменное травление полупроводников и производство экологически чистых удобрений.
«Этот важный этап является кульминацией почти 30 лет превосходной работы в области выращивания кристаллов, грубой эпитаксии и производства высоковольтных устройств, все это – вертикально интегрированная система», – сказал д-р Ченгиз Балкас, главный коммерческий директор Wolfspeed. «Коммерциализация 10 кВ MOSFET-транзисторов позволяет нашим клиентам, которые занимались прототипированием при этом напряжении, перевести свои разработки в серийное производство, тем самым ускоряя вывод продукции на рынок. Мы не только открываем новую эру высоковольтного SiC, но и воплощаем ее в реальность».
