Это расширение отвечает растущему спросу на сверхэффективное преобразование в мощных системах и включает в себя устройства, рассчитанные на ток до 608 А и тепловое сопротивление между переходом и оболочкой всего 0,07 °C/Вт (в стандартном формате полумоста S3 62 мм).
Шестикомпонентные модули объединяют трехфазный силовой каскад в компактном корпусе и имеют диапазон сопротивления RDSon от 19,5 до 82 мОм. Они разработаны для оптимизации компоновки и минимизации паразитных помех в современных преобразователях переменного тока в постоянный и приводах двигателей.
Модули полномостового преобразователя обеспечивают токовую нагрузку до 120 А и сверхнизкое сопротивление проводимости всего 8,6 мОм. Это сочетание, наряду с низким тепловым сопротивлением 0,28 °C/Вт, максимизирует плотность мощности и эффективность в однофазных инверторах и высоковольтных системах постоянного тока.
Все компоненты проходят тестирование на прочность оксидного слоя затвора на уровне пластины для обеспечения его качества. Также они тестируются при напряжениях пробоя, превышающих 1350 В. Модули на основе этих чипов третьего поколения работают при более низких напряжениях затвора, чем предыдущие поколения, благодаря диапазону напряжений затвора 18 В / -4,5 В. Технология Gen3 от SemiQ снижает потери RONsp и потери при выключении питания (EOFF) до 30% по сравнению с предыдущими поколениями.
Доктор Тимоти Хан: «Зарядная инфраструктура для электромобилей и новых промышленных применений требует постоянно растущего уровня производительности. Благодаря лучшей плотности тока и значительно более низкому сопротивлению проводимости, наши новые полномостовые, полумостовые и шестиблочные модули Gen3 помогают организациям удовлетворять эти требования».
