Это семейство позволяет создавать преобразователи мощности с лучшей в отрасли эффективностью преобразования и высокой удельной мощностью. Кроме того, серия включает в себя опциональный параллельный диод Шоттки для дальнейшего снижения потерь при переключении в условиях высоких температур.
Два из шести устройств семейства имеют сопротивление RDS(on) всего 1 мОм и удельную мощность 240 Вт/дюйм³ в корпусе размером 62 x 152 мм.
QSiC Dual3 разработан для замены модулей IGBT с минимальной переработкой конструкции. Все микросхемы MOSFET прошли испытания на выгорание затворного оксида на уровне пластины, превышающие 1450 В. Модули также отличаются низким тепловым сопротивлением перехода к корпусу, что упрощает конструкцию системы за счет меньших и более легких радиаторов.
«Растущие требования к энергопотреблению и теплоотводу, обусловленные внедрением ИИ в центрах обработки данных, доводят традиционные системы охлаждения и электропитания до предела их возможностей», — заявил д-р Тимоти Хан, президент SemiQ. «Благодаря гибкой конструкции и лучшей в отрасли удельной мощности, серия QSiC Dual3 поддерживает жидкостные чиллеры мощностью 250 кВт как в активном режиме работы, так и в приводах компрессоров, уменьшая размеры и вес по сравнению с традиционными кремниевыми IGBT-решениями, обеспечивая при этом максимальную эффективность SiC»
