Устройства серии TWxxxZxxxC — это первые SiC-продукты Toshiba в корпусе TO-247-4L(X) с четвертым выводом. Это позволяет использовать схему Кельвина для вывода истока сигнала для управления затвором, тем самым уменьшая влияние паразитной индуктивности от внутреннего истока и улучшая высокоскоростные характеристики переключения. Сравнение TW045Z120C с существующим TW045N120C (3-выводной TO-247) показывает улучшение потерь при включении примерно на 40%, а потери при выключении — примерно на 34%.
Новая серия TWxxxZxxxC включает пять устройств с номинальным напряжением сток-исток (VDSS) 650 В и пять дополнительных устройств с VDSS 1200 В для более высоковольтных применений. Типичное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)) составляет от 140 мОм до 15 мОм. В сочетании с низкими значениями нагрузки затвор-сток (QGD) это обеспечивает низкие потери даже в высокочастотных приложениях.
Устройства способны обеспечивать непрерывный ток стока (ID) до 100 А.
- Подробности
- Категория: Другие полупроводники
МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) с уменьшенными потерями при переключении
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила серию из десяти кремнийкарбидных (SiC) MOSFET-транзисторов TWxxxZxxxC, созданных на основе технологии третьего поколения. Они предназначены для снижения потерь в широком спектре промышленных применений, включая импульсные источники питания для серверов и центров обработки данных, зарядные станции для электромобилей, фотоэлектрические инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП).
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.