Этот корпус с компактными размерами 14 мм x 18,5 мм сочетает в себе преимущества SMD-монтажа с эффективностью охлаждения, обеспечиваемой технологией сквозного монтажа, гарантируя оптимальное рассеивание тепла. Выпуск этой модели отвечает растущему спросу на широкий спектр мощных (промышленных) дискретных SiC MOSFET-транзисторов, использующих превосходное охлаждение для обеспечения исключительных тепловых характеристик. Эти переключатели идеально подходят для промышленных применений, таких как системы хранения энергии на основе батарей (BESS), фотоэлектрические инверторы, приводы двигателей и источники бесперебойного питания (UPS). Они также хорошо подходят для инфраструктуры зарядки электромобилей, включая зарядные станции.
Корпус X.PAK дополнительно улучшает тепловые характеристики SiC MOSFET-транзисторов Nexperia за счет снижения негативного воздействия рассеивания тепла через печатную плату. Кроме того, корпус X.PAK от Nexperia обеспечивает низкую индуктивность для компонентов поверхностного монтажа и поддерживает автоматизированную сборку печатных плат.
Новые устройства в корпусе X.PAK демонстрируют лучшие показатели качества (FoM), известные для SiC MOSFET-транзисторов Nexperia, при этом параметр RDS(on) является особенно важным из-за его влияния на потери мощности при проводимости. Однако многие производители сосредотачиваются на номинальном значении этого параметра и игнорируют тот факт, что он может увеличиваться более чем на 100% при повышении рабочей температуры устройства, что приводит к значительным потерям мощности при проводимости. SiC MOSFET-транзисторы Nexperia, напротив, обеспечивают лучшую в отрасли температурную стабильность, при этом номинальное значение RDS(on) увеличивается всего на 38% в диапазоне рабочих температур от 25°C до 175°C.
«Внедрение наших SiC MOSFET в корпус X.PAK представляет собой значительный шаг вперед в области управления тепловыми процессами и повышения плотности мощности для мощных приложений», — говорит Катрин Фёрле, старший директор и руководитель отдела дискретных SiC модулей и компонентов в Nexperia. «Этот новый вариант продукта с верхним охлаждением основан на наших успешных запусках дискретных SiC MOSFET в корпусах TO-247 и SMD D2PAK-7. Это подчеркивает стремление Nexperia предоставлять нашим клиентам самый передовой и гибкий портфель продуктов для удовлетворения их меняющихся потребностей в проектировании».
Первоначальный ассортимент включает продукты со значениями RDS(on) 30, 40 и 60 мОм (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0), а продукт с сопротивлением 17 мОм будет выпущен в апреле 2025 года. Позже в 2025 году будет запущен ассортимент автомобильных SiC MOSFET в корпусах X.PAK, а также другие классы RDS(on), например, 80 мОм.
