Новое устройство подходит для широкого спектра применений, таких как импульсные источники питания в промышленном оборудовании, включая приложения в базовых станциях связи и центрах обработки данных.
Новый MOSFET TPH9R00CQH имеет очень низкое сопротивление включения сток-исток (RDS(ON)) всего 9,0 мОм (макс. при VGS=10 В). Это представляет собой снижение примерно на 42% по сравнению с существующим 150-вольтовым продуктом (TPH1500CNH), который основан на технологическом процессе U-MOSVIII-H текущего поколения. Ключевые показатели качества (FoM), включая RDS(ON) x QSW и RDS(ON) x QOSS, были снижены примерно на 20% и 28% соответственно, что улучшило производительность.
Характеристики нагрузки были улучшены за счет тщательной оптимизации структуры устройства. Благодаря суммарному заряду затвора (Qg) всего 44 нКл и заряду переключения затвора (QSW) 11,7 нКл, устройство демонстрирует превосходные характеристики, особенно в высокоскоростных приложениях.
Новый TPH9R00CQH предлагается в двух вариантах корпуса для поверхностного монтажа (SMD): SOP Advance (5,0 мм x 6,0 мм) и SOP Advance(N) (4,9 мм x 6,1 мм), которые можно выбрать в соответствии с потребностями любого приложения.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
Силовой N-канальный MOSFET-транзистор Toshiba U-MOSX-H 150 В
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила новый силовой N-канальный MOSFET-транзистор на 150 В, в котором используется новейший технологический процесс U-MOSX-H для снижения потерь. Кроме того, уменьшены скачки напряжения между стоком и истоком во время переключения, что улучшает электромагнитную совместимость в импульсных источниках питания.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.