Эти MOSFET-транзисторы, размещенные в компактных корпусах SOT-1118 (UDFN6), обладают превосходным теплоотводом и низким сопротивлением стока в открытом состоянии [RDS(ON) = 25 мОм (тип.) при N-канале, VGS = 4,5 В]. Эти характеристики делают их пригодными для использования в качестве переключателей управления питанием и DC-DC преобразователей в различных мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты. SSM6L61NU и SSM6N61NU также могут использоваться в приложениях управления батареями и для переключения нагрузки в приложениях с интерфейсами USB Type-C.
Благодаря лучшему в отрасли сопротивлению стока в открытом состоянии N-канала 25 мОм[1], новые MOSFET-транзисторы способствуют снижению потерь мощности в источниках питания и увеличению времени работы устройств с батарейным питанием. SSM6L61NU является комплементарным устройством, а SSM6N61NU — двойным N-канальным устройством. При использовании в приложениях USB Type-C микросхемы SSM6L61NU и SSM6N61NU могут быть размещены между выходным напряжением (Vout) микросхемы управления питанием и SoC, или в другом месте схемы.
Конструкция в одном корпусе размером всего 2 мм x 2 мм улучшает коэффициент рассеиваемой мощности (PD = 1 Вт) и уменьшает площадь, занимаемую MOSFET-транзистором, на 50% по сравнению с транзисторами в корпусе PS-8.
[1] По сравнению с N-канальным инкапсулированным продуктом UDFN6, согласно исследованию, проведенному компанией Toshiba (по состоянию на ноябрь 2015 г.).
