Компания Microchip Technology Inc. объявила о расширении своего портфеля SiC-технологий, представив 3,3 кВ SiC MOSFET-транзисторы с самым низким сопротивлением в открытом состоянии [RDS(on)] и SiC диоды Шоттки (SBD) с самым высоким номинальным током на рынке, что позволит разработчикам использовать их надежность, отказоустойчивость и производительность. Благодаря расширенному портфелю SiC-технологий, разработчики Microchip получают инструменты для создания более компактных, легких и эффективных решений для электрифицированного транспорта, возобновляемой энергетики, аэрокосмической отрасли и промышленного применения.
Многие кремниевые разработки достигли своих пределов с точки зрения максимальной эффективности, снижения стоимости системы и инноваций в применении. Хотя высоковольтный SiC является проверенной альтернативой для достижения этих результатов, доступность силовых SiC-устройств на 3,3 кВ до сих пор была ограничена. 3,3 кВ MOSFET-транзисторы и SBD-диоды от Microchip пополняют обширный каталог решений на основе SiC, включающий негерметичные дискретные устройства, модули и цифровые драйверы затвора для напряжений 700 В, 1200 В и 1700 В.
В линейку силовых устройств Microchip на основе SiC с напряжением 3,3 кВ входят MOSFET-транзисторы с сопротивлением RDS(on) 25 мОм (самое низкое на рынке) и SBD-транзисторы с номинальным током 90 А (самое высокое на рынке). Как MOSFET, так и SBD-транзисторы доступны в корпусе или без него. Эти новые уровни производительности позволяют разработчикам упрощать свои проекты, создавать более мощные системы и использовать меньшее количество компонентов параллельно для получения более компактных, легких и эффективных решений в области питания.
«Мы сосредоточены на разработках, которые позволяют нашим клиентам быстро внедрять инновации в свои системы и быстрее повышать конкурентоспособность своей конечной продукции», — сказал Леон Гросс, вице-президент подразделения дискретных продуктов Microchip. «Наше новое семейство силовых устройств на основе SiC с напряжением 3,3 кВ позволяет клиентам легко, быстро и уверенно внедрять высоковольтную технологию SiC, получая многочисленные преимущества этой перспективной технологии по сравнению с кремниевыми конструкциями».
Компания Microchip объявила о начале производства сотен силовых устройств и решений на основе SiC в течение следующих трех лет, что позволит разработчикам подобрать оптимальное сочетание напряжения, тока и корпуса для своих приложений. Все SiC MOSFET и SBD от Microchip разработаны с учетом уверенности клиентов и обеспечивают высочайший уровень надежности и отказоустойчивости на рынке. Устройства компании соответствуют установленным заказчиком стандартам устаревания, гарантируя, что их производство будет продолжаться до тех пор, пока они необходимы клиентам и Microchip может их выпускать.
Клиенты могут комбинировать SiC-продукты Microchip с другими устройствами Microchip, такими как 8-, 16- и 32-битные микроконтроллеры, устройства управления питанием, аналоговые датчики, сенсорные и жестовые контроллеры, а также решения для беспроводной связи, для создания комплексных систем с более низкой общей стоимостью владения.
Инструменты разработки:
Расширенный портфель SiC-устройств поддерживается рядом SPICE-моделей для SiC, совместимых с модулями аналогового моделирования MPLAB® Mindi™ и эталонными проектами плат управления Microchip. Инструмент интеллектуальной конфигурации (ICT) позволяет разработчикам создавать эффективные модели драйверов затвора SiC для семейства конфигурируемых цифровых драйверов затвора AgileSwitch® от Microchip.
Наличие:
Принимаются заказы на эти готовые к производству дискретные SiC-устройства на 3,3 кВ без корпусов, доступные в различных вариантах корпусов.
