Время обратного восстановления (Trr) диодов HSD лишь минимально зависит от температуры, что обеспечивает быстрое переключение в широком диапазоне температур.
TK5P60W5 (с Id = 4,5 А и RDS_(on) = 0,99 Ом) размещен в самом маленьком корпусе серии, корпусе DPAK (A-252), и обеспечивает типичное время обратного восстановления диода 65 нс. Его входная емкость (Ciss₎370 пФ и квантовый выход всего 11,5 нКл обеспечивают эффективную работу переключения.
Новый TK62N60W5 (_RDS(on): 0,045 Ом) является самым большим MOSFET в серии, размещен в 3-контактном корпусе TO-247 и поддерживает максимальную выходную мощность Id = 61,8 А. В результате достигается типичное время отклика диода Trr 17 нс, емкость C_iss 6500 пФ и квантовый выход QGof 205 нКл.
Микросхемы DTMOS IV-H производятся с использованием технологии Toshiba "Deep Trench", которая обеспечивает более низкое сопротивление в открытом состоянии (R<sub>_DS(ON)) при более высоких температурах по сравнению с обычными суперпереходными MOSFET-транзисторами. Она также обеспечивает снижение потерь при выключении (E<sub>_OSS)) по сравнению с предыдущими поколениями технологий. Сочетание меньшего увеличения R<sub>_DS(ON)) при высоких температурах и сниженного времени отклика диода Trr обеспечивает большую эффективность и помогает разработчикам минимизировать размеры системы.
Образцы обоих устройств уже доступны, при этом запуск серийного производства TK62N60W5 уже запланирован, а запуск серийного производства TK5P60W5 — на октябрь 2015 года.

Более подробная информация или запрос цены