Этот новый компонент обеспечивает более высокую удельную мощность, что позволяет уменьшить габариты и сэкономить место на печатной плате, повысить эффективность и обеспечить более высокий ток.
Благодаря очень низкому сопротивлению проводимости,
он идеально подходит для проектирования источников питания, POL-транзисторов или DC/DC-преобразователей в таких областях применения, как телекоммуникации, радиочастоты или ПК/серверы.
Характеристики
: • Силовой MOSFET TrenchFET® Gen IV.
• Низковольтный MOSFET SkyFET® со встроенным резистором Шоттки.
• 100% тестирование Rg и UIS.
• Полумостовая конфигурация в корпусе 3,3 мм x 3,3 мм.
• Классификация материалов: Для получения информации о соответствии стандартам, пожалуйста, посетите www.vishay.com/doc?99912
Области применения:
• Источники питания для ЦП
• Периферийные устройства для ПК/серверов
• Понижающие/понижающие преобразователи
• DC/DC телекоммуникационное оборудование
