Эти устройства, поставляемые в стандартных корпусах TO-247, обеспечивают лучшие в своем классе характеристики для промышленных и энергосберегающих применений.
Новые устройства Gen8 доступны для токов от 8 А до 60 А с типичным напряжением VCE(ON) 1,7 В и временем отклика на короткое замыкание 10 мкс, что снижает рассеиваемую мощность, приводя к увеличению плотности мощности и превосходной надежности.
Новая технология обеспечивает более плавные характеристики включения для приложений управления двигателями за счет минимизации dv/dt для снижения электромагнитных помех и перенапряжений, а также повышает надежность и отказоустойчивость. Точное распределение параметров обеспечивает отличное распределение тока при параллельном соединении нескольких IGBT. Технология тонких пластин улучшает тепловое сопротивление, а максимальная температура перехода достигает 175 °C.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
IGBT-транзистор Gen8 на 1200 В в стандартном корпусе TO-247
Компания International Rectifier представляет новое поколение технологической платформы IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором). Платформа IGBT 8-го поколения (Gen8) на 1200 В использует новейшую технологию траншейного затвора с ограничителем поля от IR
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.
