Этот первый продукт на основе SFPMOS™ (экранированный полевой транзистор с пластинчатой структурой) имеет номинальное сопротивление в открытом состоянии Rds(on) всего 4 мОм при напряжении затвора U_GS = 1 В. Напряжение пробоя U_BR составляет 40 В. Ниже этого порога токи утечки в широком диапазоне температур чрезвычайно низки. При рабочей температуре 25°C они значительно ниже 1 микроампера и достигают всего 1 мА при 150°C. Поэтому SFPMOS™ особенно хорошо подходят для использования в мобильных устройствах или там, где важна длительная работа от батареи.
Серия SFPMOS™ состоит из силовых транзисторов с напряжением пробоя от 8 В до 200 В. Они доступны в различных корпусах, включая SC-75/SOT-416, 3x3 PQFN и 5x6 PQFN.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
МОП-транзистор для низковольтных применений
Компания MaxPower представляет инновационную серию силовых транзисторов сублогического уровня. MOSFET-транзисторы, способные надежно выдерживать высокие токи при сверхнизких пороговых напряжениях, встречаются редко. Компания MaxPower Semiconductor Inc., производитель инновационных силовых полупроводников и стратегический партнер Finepower, разработала новое семейство силовых транзисторов, которые также переключаются на сублогическом уровне.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.