Они подходят для широкого спектра требовательных приложений электропитания, включая импульсные источники питания (SMPS) в серверах, центрах обработки данных и коммуникационном оборудовании, источники бесперебойного питания (ИБП), зарядные станции для электромобилей и стабилизаторы напряжения для фотоэлектрических (PV) инверторов.
По сравнению с корпусами на основе выводов, такими как TO-247 и TO-247-4L(X), эти новые устройства значительно уменьшают свой объем более чем на 80%. Эта существенная миниатюризация напрямую способствует повышению удельной мощности оборудования. Кроме того, возможность поверхностного монтажа в корпусе TOLL позволяет использовать компоненты с меньшим паразитным импедансом, включая резисторы и индукторы, что, в свою очередь, приводит к снижению потерь при переключении.
Корпус TOLL представляет собой 9-контактный 4-выводной корпус, разработанный для обеспечения возможности использования соединения Кельвина для вывода истока сигнала управления затвором. Эта усовершенствованная конструкция минимизирует влияние индуктивности в выводе истока внутри корпуса, обеспечивая тем самым высокую скорость переключения. Например, TW048U65C демонстрирует значительное снижение потерь в открытом состоянии (Eon) примерно на 55% и потерь в закрытом состоянии (Eoff) примерно на 25% по сравнению с аналогичным продуктом Toshiba в корпусе TO-247 без кельвиновского соединения. Это улучшение напрямую способствует снижению потерь мощности в оборудовании.
SiC MOSFET-транзисторы третьего поколения от Toshiba имеют оптимизированное сопротивление дрейфу и отношение сопротивления канала, что обеспечивает хорошую температурную зависимость сопротивления сток-исток (RDS(on)) в широком диапазоне рабочих условий. Они также демонстрируют низкое значение RDS(on) x нагрузка затвор-сток (Qgd), важнейший показатель качества (FOM), что еще больше повышает их производительность. Все варианты имеют абсолютное максимальное напряжение сток-исток (VDSS) 650 В и широкий диапазон напряжения затвор-исток (VGSS) от -10 В до 25 В, что обеспечивает совместимость с различными схемами управления затвором и упрощает проектирование схем. Пороговое напряжение затвора (Vth) этих устройств обычно составляет от 3,0 В до 5,0 В, что еще больше упрощает проектирование схемы. Кроме того, высокий ток стока (ID) обеспечивает надежную работу в сложных условиях, повышая надежность системы.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
МОП-транзистор третьего поколения на 650 В с карбидами кремния в компактном корпусе, изготовленном по контракту
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») объявляет о выпуске трех новых 650-вольтовых кремниево-карбидных (SiC) MOSFET-транзисторов, созданных на основе новейших чипов SiC MOSFET третьего поколения. TW027U65C, TW048U65C и TW083U65C выполнены в корпусе для поверхностного монтажа TOLL и предназначены для снижения потерь при переключении в промышленном оборудовании.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.
