Благодаря GaNEXUS GaN FET от onsemi, доступным в Mouser, можно достичь более высоких рабочих частот и большей удельной мощности. Кроме того, их использование помогает сократить количество магнитных компонентов в приложениях преобразования энергии в диапазонах низкого, среднего, высокого и сверхвысокого напряжения. Эти GaN-транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) с режимом обогащения обеспечивают диапазон напряжений от 40 до 650 В, включая интеллектуальные GaN FET GaNEXUS 650 В со встроенной защитой для повышения надежности и упрощения системной интеграции. Решения GaNEXUS разработаны для повышения эффективности преобразования и управления энергией в современных системах электропитания, упрощения сложных конструкций, ускорения квалификации и разработки, снижения требований к тепловому режиму и охлаждению, а также оптимизации производительности по всей цепочке электропитания.
В системах низкого и среднего напряжения, таких как серверы искусственного интеллекта, преобразователи промежуточной шины 48 В (IBC), блоки резервного питания от батарей (BBU) и контроллеры двигателей, использование GaNEXUS помогает уменьшить размеры магнитных компонентов, обеспечивает более высокую удельную мощность, повышает эффективность, тепловые характеристики и стабильность управления, а также снижает потери при переключении. В приложениях высокого напряжения, таких как силовые модули искусственного интеллекта, высоковольтные преобразователи постоянного тока, преобразователи коррекции коэффициента мощности (PFC) и силовые каскады LLC, использование GaNEXUS позволяет уменьшить размеры магнитных компонентов до 60% в резонансных и высокочастотных каскадах AC-DC, увеличить удельную мощность в архитектурах PFC, LLC и высоковольтных DC-DC преобразователях, а также снизить тепловые и эксплуатационные расходы.
