В серии SCT3xxx xR используется 4-контактный корпус (TO-247-4L), который обеспечивает максимальную эффективность переключения, снижая потери при переключении до 35% по сравнению с обычными 3-контактными корпусами (TO-247N). Это способствует снижению энергопотребления в широком диапазоне применений.
В последние годы постоянно растущая потребность в облачных сервисах, обусловленная распространением ИИ и Интернета вещей, привела к резкому увеличению спроса на центры обработки данных по всему миру. Однако для серверов, используемых в этих центрах обработки данных, одной из главных задач является снижение энергопотребления при одновременном увеличении производительности и мощности. В то же время устройства на основе карбида кремния (SiC) набирают популярность благодаря меньшим потерям по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами в схемах преобразования энергии серверов. Кроме того, поскольку корпус TO-247-4L снижает потери при переключении по сравнению с традиционными корпусами, ожидается его широкое применение в высокопроизводительных приложениях, таких как серверы, базовые станции и системы солнечной энергетики.
В 2015 году компания ROHM стала первым поставщиком, успешно осуществившим массовое производство SiC MOSFET-транзисторов с траншейным затвором, и продолжает лидировать в отрасли в разработке продукции. В дополнение к этим новым высокоэффективным SiC MOSFET-транзисторам на 650 В/1200 В, мы стремимся разрабатывать инновационные устройства и предоставлять решения, которые помогают снизить энергопотребление в широком спектре устройств, включая интегральные схемы драйверов затвора, оптимизированные для SiC-транзисторов.
Компания ROHM также предлагает решения, облегчающие оценку приложений, включая оценочную плату SiC MOSFET P02SCT3040KR-EVK-001, оснащенную интегральными схемами драйвера затвора (BM6101FV-C), а также интегральными схемами питания и дискретными компонентами, оптимизированными для SiC-устройств.
Основные характеристики:
4-контактный корпус (TO-247-4L) снижает потери при переключении до 35%.
В обычных 3-контактных корпусах (TO-247N) эффективное напряжение на затворе микросхемы снижается из-за падения напряжения на паразитной индуктивности истокового вывода. Это снижает скорость переключения. Использование 4-контактного корпуса TO-247-4L разделяет выводы драйвера и питания, минимизируя влияние паразитной индуктивности. Это позволяет максимизировать скорость переключения SiC MOSFET, снижая общие потери при переключении (включение и выключение) до 35% по сравнению с обычным корпусом.
Серия
SCT3xxx xR состоит из SiC MOSFET-транзисторов с траншейной затворной структурой. Предлагается шесть моделей с напряжением пробоя 650 В (3 продукта) или 1200 В (3 продукта).
(см. таблицу)
Области применения:
системы бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, системы хранения энергии, зарядные станции для электромобилей, электропитание серверных ферм и базовых станций и многое другое.
Оценочная плата
(P02SCT3040KR-EVK-001) оснащена нашими микросхемами драйверов затвора (BM6101FV-C), оптимизированными для управления SiC-устройствами, а также несколькими микросхемами питания и дополнительными дискретными компонентами, облегчающими оценку и разработку приложений. Совместимость с корпусами TO-247-4L и TO-247N позволяет оценивать оба типа корпусов в одинаковых условиях. Плата может использоваться для двухимпульсного тестирования, а также для оценки компонентов в повышающих схемах, двухуровневых инверторах и синхронных выпрямительно-понижающих схемах.
