В настоящее время компания ROHM занимается серийным производством первых на рынке SiC MOSFET-транзисторов траншейного типа. Новое поколение SiC MOSFET-транзисторов ROHM снижает сопротивление в открытом состоянии на 50% во всем диапазоне температур и входную емкость на 35% для микросхемы того же размера по сравнению с SiC MOSFET-транзисторами с плоским затвором. Оптимальная производительность достигается за счет сочетания низких потерь и высокой скорости переключения. Это уменьшает размеры периферийных компонентов, таких как индукторы и конденсаторы, благодаря более высокой частоте переключения. В результате повышается эффективность преобразования, что способствует миниатюризации, снижению веса и повышению энергоэффективности. Прекрасным примером являются новые SiC MOSFET-транзисторы серии SCT3080KL на 1200 В в корпусе TO-247.
Компания ROHM также предложит SiC MOSFET-транзисторы, одобренные AECQ, на основе планарной серии второго поколения.
Диоды Шоттки на основе SiC третьего поколения:
Диоды Шоттки на основе SiC третьего поколения обеспечивают самое низкое прямое напряжение (VF) и обратный ток утечки (lR) во всем диапазоне температур среди всех доступных в настоящее время диодов Шоттки на основе SiC. Они также характеризуются способностью выдерживать высокие перегрузки по току, что делает их идеальными для источников питания. Наряду с недавно анонсированными устройствами TO220AC на 650 В/6, 8 и 10 А, ROHM добавит в это семейство устройства D2PAK и TO220FM, которые также предлагают варианты с более низким током 2 А и 4 А.
Диоды на основе SiC обеспечивают чрезвычайно короткое время обратного восстановления по сравнению с устройствами на основе кремния, что делает их идеальными для высокоскоростного переключения.
В целом, эти характеристики способствуют продолжающейся тенденции повышения эффективности, плотности мощности и надежности в конструкциях.
SiC-
модули ROHM, включая модули с прерывателями для преобразователей, объединяют SiC-МОП-транзисторы траншейного типа и серийно выпускаемые SiC-диоды Шоттки. Помимо модулей «2 в 1», доступны модули с прерывателями на 1200 В/120 А, 180 А и 300 А, отвечающие требованиям рынка. ROHM также работает над новым силовым модулем с более низкой паразитной индуктивностью.
Более подробная информация или запрос цены
