Высокое блокирующее напряжение позволяет инженерам-электротехникам заменить традиционные кремниевые MOSFET-транзисторы на новые SiC MOSFET-транзисторы, обеспечивая более высокую эффективность, более простой драйвер и меньшее тепловыделение, что снижает общую стоимость системы.
Новый корпус SMD специально разработан для высоковольтных SiC MOSFET-транзисторов, занимает небольшую площадь и имеет большое расстояние утечки сток-исток — 7 мм. Это стало возможным благодаря малому размеру полупроводника и высокой блокирующей способности планарной технологии SiC MOSFET от Wolfspeed™. Новый корпус также включает вывод, подключенный к истоку MOSFET, что помогает снизить шум затвора и обеспечивает более чистые сигналы.
«Наш новый SiC MOSFET-транзистор на 1700 В предоставляет инженерам-электротехникам значительные преимущества при проектировании обратноходовых схем», — объясняет Эдгар Айербе, менеджер по маркетингу силовых MOSFET-транзисторов Wolfspeed. «Благодаря низким потерям при переключении в карбиде кремния, устройства работают при гораздо более низких температурах в полупроводниковом слое. Это позволяет заказчикам устанавливать устройства непосредственно на печатную плату без необходимости использования дополнительных радиаторов. Это снижает производственные затраты и повышает надежность системы. В результате получается более компактный и легкий источник питания с более низкой стоимостью системы, чем это возможно при использовании обычных кремниевых устройств».
Применение новых 1700-вольтовых SiC MOSFET в основном предназначено для вспомогательных источников питания в мощных инверторах, таких как солнечные инверторы, частотные преобразователи двигателей, оборудование ИБП, преобразователи мощности ветротурбин и тяговые системы. Эти системы обычно требуют преобразования напряжения шины в низкое постоянное напряжение для работы системной логики, цепей защиты, дисплеев, интерфейса сети и вентиляторов охлаждения. Они также могут использоваться в трехфазных источниках питания для электросчетчиков или в любом другом приложении, где преобразователь требует высокого блокирующего напряжения и низкой емкости.
Новый SiC MOSFET на 17000 В, обозначенный как C2M1000170J, обладает лавинной устойчивостью выше 1800 В и сопротивлением Rdson 1 Ом. Эти характеристики обеспечивают надежную работу в схемах обратноходовых преобразователей, в том числе в условиях сильных электрических помех, таких как мощные инверторы. SiC MOSFET на 1700 В упрощает проектирование обратноходовой топологии благодаря простому переключению входного напряжения с 200 В на 1000 В, снижая сложность управления и уменьшая или полностью исключая необходимость использования демпфирующих конденсаторов в кремниевых устройствах.
Для получения дополнительной информации или коммерческого предложения, пожалуйста, свяжитесь с нами.