ir6990 hres-wМикросхема IRL6283M имеет сопротивление Rds(on) всего 500 мкОм (типичное значение) в корпусе DirectFET® Medium Can площадью 30 мм², что значительно снижает потери проводимости. Это делает её идеальной для применения в активных кольцевых и электронных предохранителях (eFuse). Новое устройство может работать от силовых линий 3,3 В, 5 В или 12 В и снижает потери на 15% при токе 20 А по сравнению с лучшими устройствами PQFN на рынке в том же форм-факторе 30 мм², что позволяет разработчикам уменьшить количество компонентов в сильноточных приложениях.
 
Как и всё семейство DirectFET®, IRL6283M допускает верхнее охлаждение для улучшения электрических и тепловых характеристик, а также бесшовное соединение выводов для повышения надежности. Кроме того, корпус DirectFET® соответствует всем требованиям RoHS, а его полностью бессвинцовый состав материалов идеально подходит для конструкций с длительным сроком службы. Другие высокопроизводительные корпуса, представленные на рынке, включают в себя полупроводниковые соединения, содержащие свинец, в соответствии с исключением RoHS 7(a), срок действия которого истекает в 2016 году.
 
Семейство StrongIRFET™ от IR также включает стандартные устройства PQFN в экологически чистых бессвинцовых корпусах с характеристиками, соответствующими требованиям RoHS.

Более подробная информация или запрос цены