Моделирование — очень ценный инструмент для дизайнеров, поскольку оно сокращает количество необходимых прототипов, исключая необходимость повторений, тем самым повышая эффективность разработки и сокращая общее время, затраты и риски.
В требовательном мире силовой электроники и автомобильного проектирования существует высокая потребность в предварительных прогнозах электромагнитной совместимости и рассеиваемой мощности всей системы. Это приводит к растущему спросу на SPICE-модели силовых полупроводников, способные прогнозировать КПД преобразования энергии, электромагнитную совместимость и другие соответствующие параметры.
Новые модели SPICE G2 для дискретных силовых устройств созданы с использованием формата макромоделей, который объединяет несколько компактных моделей для соответствия структуре устройства, представляя электрические характеристики с помощью нескольких нелинейных элементов и произвольной непрерывной функции. Благодаря такому подходу моделирование переключения становится более точным и точнее приближается к реальным измерениям, улучшая воспроизводимость характеристик кривой ID-VDS в области высоких токов, включая зависимые от напряжения характеристики паразитной емкости.
Доступные на веб-сайте Toshiba, модели G2 охватывают низковольтные MOSFET-транзисторы (12–300 В) и средне- и высоковольтные MOSFET-транзисторы (400–900 В). Доступны версии для PSpice и LTSpice.
