ВЧ-микросхемы переключения, изготовленные с использованием нового процесса TaRF8, а также нового процесса SP12T [1] , обеспечивают самые низкие вносимые потери [2] в своем классе [3] в отрасли. Поставки образцов ВЧ-микросхем переключения SP12T, изготовленных по новому процессу, начнутся в январе 2016 года.
Микросхема радиочастотного переключения SP12T, разработанная для использования в смартфонах, имеет встроенный контроллер MIPI-RFFE [4] для мобильных приложений. Устройство подходит для использования в устройствах, соответствующих стандартам 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE и LTE-Advanced [5].
Продукты, использующие новый технологический процесс TaRF8 SOI CMOS [6] для фронтальной части, достигают самых низких вносимых потерь в своем классе в отрасли — 0,32 дБ на частоте 2,7 ГГц. По сравнению с продуктами, использующими текущий технологический процесс TaRF6 от Toshiba, вносимые потери улучшаются на 0,1 дБ при сохранении того же уровня искажений.
В условиях тенденции к высокоскоростной передаче данных в мобильной связи, высокоскоростная передача данных и использование интегрированных радиочастотных коммутационных схем в мобильных устройствах и смартфонах требуют поддержки многопортовых соединений и улучшения радиочастотных характеристик. Снижение потерь на входе признается особенно важным фактором, поскольку уменьшает потери мощности при передаче радиочастотного сигнала, что может способствовать увеличению времени автономной работы мобильных устройств.
Компания Toshiba разрабатывает высокопроизводительные интегральные схемы радиочастотного переключения, используя собственное производство и технологию SOI CMOS, которая подходит для интеграции как аналоговых, так и цифровых схем. Управляя всеми аспектами производственного процесса, от разработки технологии радиочастотного технологического процесса до проектирования и производства микросхем радиочастотного переключения, Toshiba может быстро совершенствовать свою технологию SOI CMOS на основе обратной связи, полученной в ходе разработки собственных микросхем радиочастотного переключения. Такой подход интегрированного производителя устройств (IDM) позволяет Toshiba быстро внедрять новые технологические процессы, адаптированные к существующим продуктам, и выходить на рынок с продуктами, изготовленными с использованием новейших технологических процессов.
Toshiba продолжит улучшать характеристики своей технологической схемы TarfSOI и работать над удовлетворением потребностей клиентов и рынка в интегральных схемах радиочастотной коммутации, внедряя продукты следующего поколения раньше других производителей.
Примечания:
[1] Однополярный двенадцатипозиционный переключатель
[2] Рынок ИС радиочастотной коммутации по состоянию на 20 ноября 2015 г. Опрос Toshiba
[3] Потери мощности, возникающие при передаче радиочастотного сигнала через переключатель, выраженные в децибелах (дБ).
[4] Спецификация интерфейса последовательной шины для управления радиочастотными компонентами для мобильных устройств, стандартизированная рабочей группой Frontend RF (RFFE) альянса MIPI (Mobile Industry Processor Interface).
[5] Стандарты мобильной связи, определенные 3GPP (3rd Generation Partnership Project).
[6] Технология уменьшения паразитной емкости с помощью изоляционного слоя под каналом MOSFET. SOI: кремний на изоляторе
* TarfSOI является товарным знаком корпорации Toshiba.
