Как и устройства предыдущего поколения, новые транзисторы ICeGaN H2 на 650 В управляются аналогично кремниевым MOSFET-транзисторам, что исключает необходимость в сложных и неэффективных схемах за счет использования коммерчески доступных драйверов затвора. Наконец, транзисторы ICeGaN H2 HEMT имеют квантовый выход (QG) в 10 раз ниже, чем у кремниевых компонентов, и квантовый выход (QOSS) в 5 раз ниже, что позволяет им значительно снизить потери при переключении на высоких частотах, одновременно уменьшая размеры и вес. В результате достигается лучшая в своем классе эффективность, на 2% выше, чем у лучших кремниевых MOSFET-транзисторов в отрасли для импульсных источников питания.
ДЖОРДЖИЯ ЛОНГОБАРДИ | ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР И СООСНОВАТЕЛЬ CGD: «Компания CGD заняла лидирующие позиции в области инноваций благодаря серии ICeGaN H2. Независимые исследования Вирджинского технологического университета показали, что ICeGaN являются наиболее надежными GaN-устройствами в отрасли и, с точки зрения простоты использования, могут управляться как стандартные кремниевые MOSFET-транзисторы, что устраняет необходимость в обучении, которая может замедлить внедрение на рынок. Эффективность GaN хорошо известна, и ICeGaN впечатляет во всем диапазоне нагрузок».
В серии ICeGaN H2 используется инновационная схема NL3 (без нагрузки и с малой нагрузкой), интегрированная на кристалле с GaN-переключателем, что обеспечивает рекордно низкие потери мощности. Усовершенствованная интегрированная структура Миллера, также интегрированная на кристалле, устраняет необходимость в отрицательных напряжениях на затворе, обеспечивая истинное нулевое напряжение выключения и улучшая динамические характеристики RDS(ON). Эти однокристальные GaN HEMT в режиме e (нормально выключенный) включают монолитно интегрированный интерфейс и схему защиты для непревзойденной надежности затвора и простоты конструкции. Наконец, функция измерения тока снижает рассеиваемую мощность и позволяет осуществлять прямое заземление для оптимизации охлаждения и электромагнитных помех.
ДЖОРДЖИЯ ЛОНГОБАРДИ | ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР И СООСНОВАТЕЛЬ CGD: «Компания CGD преодолела все трудности, которые обычно замедляют внедрение новых технологий. Более того, теперь мы готовы выйти на массовый рынок с нашими транзисторами ICeGaN серии H2, которые доступны через налаженную цепочку поставок».
