Новая серия суперпереходных MOSFET-транзисторов DTMOS IV-H, созданная с использованием передового эпитаксиального процесса Toshiba, идеально подходит для применений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактной конструкции. Они применимы в высокоэффективных импульсных источниках питания для серверов и базовых станций телекоммуникаций, а также в стабилизаторах напряжения для фотоэлектрических инверторов.
 
Новая серия обеспечивает высокую скорость переключения, сохраняя при этом низкое сопротивление в открытом состоянии, характерное для обычных DTMOS IV, — и все это без потерь мощности. Это достигается за счет снижения паразитной емкости затвор-сток (типичная емкость в Кл составляет от 3000 до 6500 пФ), что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделия.
 
Оптимизированная структура затвора приводит к снижению нагрузки затвор-сток на 45% (типичная емкость в Кл составляет от 65 до 135 нКл) по сравнению с обычными DTMOS IV. Новая линейка продуктов отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (максимальное сопротивление RDS(ON) при VGS=10 В составляет от 0,088 до 0,040 Ом), а устройства демонстрируют лишь незначительное увеличение сопротивления в открытом состоянии при высоких температурах благодаря эпитаксиальному процессу производства. Потребляемый ток составляет от 6,8 до 30,8 А.
 
Новая серия DTMOS IV-H в настоящее время доступна в корпусах T0-247, а в ближайшее время появятся дополнительные варианты корпусов, включая 8x8 мм DFN, T0-220 и T0-220SIS.

Более подробная информация или запрос цены