В серии RGWxx65C используются низкопотерные диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) от ROHM в блоке обратной связи IGBT в качестве диода, работающего в свободном режиме и практически не требующего энергии восстановления, что приводит к минимальным потерям при переключении диода. Кроме того, поскольку ток восстановления не нужно обрабатывать IGBT в режиме включения, потери при включении IGBT значительно снижаются. В результате этих факторов потери снижаются до 67% по сравнению с обычными IGBT и на 24% по сравнению с суперсвязанными MOSFET (SJ MOSFET) при использовании в автомобильных зарядных устройствах. Это обеспечивает отличное соотношение цены и качества, а также способствует снижению энергопотребления в промышленных и автомобильных приложениях.
В последние годы глобальные усилия по снижению воздействия на окружающую среду и достижению углеродно-нейтрального и декарбонизированного общества привели к впечатляющему росту производства электромобилей (xEV). Одновременно с этим происходит диверсификация силовых полупроводников, используемых в различных схемах инверторов и преобразователей автомобилей, что необходимо для создания более эффективных систем. Эта диверсификация сопровождается технологическими инновациями как в сверхнизкопотерных силовых устройствах на основе SiC (например, SiC MOSFET и SiC SBD), так и в традиционных кремниевых силовых устройствах (например, IGBT и сверхсвязанные MOSFET).
Для того чтобы предлагать эффективные решения в области электропитания для широкого спектра применений, компания ROHM фокусируется не только на разработке продуктов и технологий для ведущих в отрасли силовых устройств на основе SiC, но и на кремниевых изделиях и интегральных схемах управления.
Доступность: март 2021 г. (образцы), декабрь 2021 г. (серийное производство)
Примерыприменения
Автомобильные зарядные устройства (бортовые зарядные устройства)
DC/DC преобразователи для транспортных средств
Солнечные инверторы (стабилизаторы напряжения)
Системы бесперебойного питания (ИБП)
Ассортимент гибридных IGBT-транзисторов [серия RGWxx65C]
В дополнение к этим инновационным гибридным IGBT-транзисторам мы предлагаем продукцию, в которой в качестве свободнопротекающего диода используются кремниевые диоды с свободным потоком, а также продукцию без свободнопротекающего диода.
Вспомогательные материалы для проектирования.
На веб-сайте ROHM вы также найдете широкий спектр проектных данных, включая модели для моделирования (SPICE) и примечания по применению схем управления, необходимые для интеграции и оценки, что способствует быстрому выходу на рынок.
