В новых устройствах используется технология сверхтонких пластин с полевым стопором от IR, которая снижает потери проводимости и переключения. Поставляемые в том же корпусе с диодом мягкого восстановления с низким Qrr и имеющие минимальное время короткого замыкания 10 мкс, эти устройства оптимизированы для работы в сложных промышленных условиях.
 
Эти новые траншейные IGBT-транзисторы на 1200 В обеспечивают очень низкое Vce(on) и значительно сниженные потери переключения, а также повышенную эффективность системы и переходную чувствительность для повышения надежности, что делает их хорошо подходящими для суровых промышленных условий.
 
Устройства в корпусе охватывают широкий диапазон токов 10–50 А. Другие ключевые преимущества включают максимальную температуру перехода Tjmax 150 °C, положительный температурный коэффициент Vce(on) для облегчения параллельного подключения и более низкое Vce(on) для снижения рассеиваемой мощности и достижения более высокой плотности мощности. Также доступны продукты без корпуса.

Более подробная информация или запрос цены