Потери при переключении в запатентованной технологии PowiGaN 1250 В от Power Integrations составляют менее одной трети от потерь, наблюдаемых в аналогичных кремниевых устройствах при том же напряжении. В результате достигается КПД преобразования энергии до 93%, что позволяет создавать очень компактные обратноходовые источники питания, способные выдавать до 85 Вт без радиатора.
Как заявил Раду Барсан, вице-президент по технологиям компании Power Integrations: «Power Integrations продолжает развивать и внедрять в коммерческую практику высоковольтную технологию GaN, делая устаревшими даже лучшие высоковольтные кремниевые MOSFET-транзисторы. В 2019 году мы первыми начали коммерциализацию крупных заказов на интегральные схемы питания на основе GaN, а в начале этого года представили 900-вольтовую версию наших продуктов InnoSwitch на основе GaN. Продолжающаяся разработка высоковольтной технологии GaN, продемонстрированная здесь нашими новыми устройствами на 1250 В, расширяет преимущества эффективности GaN на еще более широкий спектр применений, включая многие из тех, которые в настоящее время обслуживаются технологией карбида кремния».
Разработчики, использующие новые микросхемы InnoSwitch3-EP 1250 V, могут с уверенностью задавать пиковое рабочее напряжение в 1000 В, что позволяет снизить его на 80 процентов по сравнению со стандартным абсолютным максимальным напряжением в 1250 В. Это обеспечивает значительную свободу действий в промышленных приложениях и особенно ценно в суровых условиях электросетей, где надежность является важнейшей защитой от нестабильности сети, скачков напряжения и других нарушений электропитания.
Наличие и ресурсы
: Образцы доступны уже сейчас; срок поставки интегральных схем InnoSwitch3-EP на 1250 В составляет 16 недель. Цена на устройства InnoSwitch3-EP на 1250 В в корпусе INSOP-24D начинается от 3 долларов за 10 000 единиц. Эталонный проект DER-1025, описывающий обратноходовой преобразователь на 12 В, 6 А,
